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HTSW-11-18-T-S  HTSW-125-18-G-D  HTSW-125-15-T-S  HTSW-11-18-T-Q  HTSW-145-18-F-S  HTSW-110-17-G-D  HTSW-11-08-G-S  HTSW-110-15-L-S  HTSW-11-08-F-D  HTSW-110-15-L-Q  
SKW30N60HS 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代 (High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation)
.型号:   SKW30N60HS
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描述: 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
文件大小 :   349 K    
页数 : 14 页
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100%
SKW30N60HS
T
J
=-55°C
50A
25°C
150°C
I
F
=60A
2,0
V
F
,
正向电压
I
F
,
正向电流
40A
I
F
=30A
1,5
I
F
=15A
1,0
30A
20A
0,5
10A
0A
0,0
0,0V
0,5V
1,0V
1,5V
2,0V
-50
0
50
100
150
V
F
,
正向电压
图25.典型的二极管正向电流
正向电压的函数
T
J
,
结温
图26.典型的二极管的正向电压作为
结温度的函数
Z
thJC
,
瞬态热阻
10 K / W
D=0.5
0.2
0.1
10 K / W 0.05
0.02
0.01
10 K / W
-2
-1
0
R
, (K / W)的
0.358
0.367
0.329
0.216
0.024
R
1
τ
,
(s)
-2
9.02*10
-3
9.42*10
-4
9.93*10
-4
1.19*10
-5
1.92*10
R
2
单脉冲
10 K / W
1µs
-3
C
1
=
τ
1
/
R
1
C
2
=
τ
2
/
R
2
10µs
100µs
1米s
10米100米s
t
P
,
脉冲宽度
图27.二极管瞬态热
阻抗为脉冲的功能
宽度
(D = T
P
/T)
功率半导体
11
2.2版
九月08
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