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NACE4700K10V6.3X5.5TR13F  HLMP-4700G0000  TC15A4V  TC1530  NACE4700K100V6.3X6.3TR13F  TC16-11YWA  TC1540  HLMP-4700G0B02  TC1410  TC1683EUA  
SKW30N60HS 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代 (High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation)
.型号:   SKW30N60HS
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描述: 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
文件大小 :   349 K    
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品牌   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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100%
SKW30N60HS
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻,
结 - 案
二极管热阻
结 - 案
热阻,
结 - 环境
电气特性,
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
( B R )C (E S)
V
摹ê
=0 V,
I
C
=500
µA
V
CE ( SAT )
V
摹ê
= 15 V,
I
C
=30A
T
j
= 25°C
T
j
= 150
°C
二极管的正向电压
V
F
V
摹ê
=0 V,
I
F
= 3 0 A
T
j
= 25°C
T
j
= 150
°C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE (日)
I
CES
I
C
=700
μA ,V
权证
=V
摹ê
V
权证
= 60 0 V,V
摹ê
= 0 V
T
j
= 25°C
T
j
= 150
°C
栅极 - 发射极漏电流
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
( 0.197英寸)的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
I
C( SC )
V
摹ê
=15V,t
S·C
≤1
0
µs
V
C C
60 0V,
T
j
150
°C
-
220
A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
L
E
V
权证
=25V,
V
摹ê
=0 V,
f=1MHz
V
C C
= 48 0 V,
I
C
=30A
V
摹ê
=15V
-
13
nH
-
-
-
-
1500
203
92
141
nC
pF
I
GES
g
fs
V
权证
=0 V,V
摹ê
=20V
V
权证
=20V,
I
C
=30A
-
-
-
-
-
-
-
20
40
3000
100
nA
S
-
3
1.55
1.55
4
2.05
2.05
5
µA
2.8
3.5
3.15
4.00
600
-
-
V
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
thJA
40
R
thJCD
1.29
R
thJC
0.5
K / W
符号
条件
马克斯。值
单位
1)
允许短路号: <1000 ;短路的时间: >1s 。
2
2.2版
九月08
功率半导体
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