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BZT55C10  SST111_SOT-23  SST11LP12_10  SST109_SOT-23  SST11CP15  BZT55C11  BZT55C13  BZT55B8V2  BZT55B7V5  BZT55C12  
SKW30N60HS 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 ％，相比上一代 (High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation)
.型号：   SKW30N60HS
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描述： 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 ％，相比上一代
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
文件大小 ：   349 K    
页数 ： 14 页
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品牌 ：   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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100%
SKW30N60HS
开关特性，电感负载，
at
T
j
=150
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
反并联二极管特性
二极管的反向恢复时间
t
rr
t
S
t
F
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
秋天反向二极管峰值速率
在恢复电流
t
b
Q
rr
I
RRM
di
rr
/ DT
T
j
= 150
°C
V
R
= 40 0 V ,
I
F
=30A,
D I
F
/ D T =
1250 A / μs的
-
-
-
-
-
-
190
30
160
2.0
24
480
µC
A
A / μs的
ns
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
= 150
°C
V
C C
= 40 0 V,
I
C
=30A,
V
摹ê
= 0 /1 5 V,
R
G
= 1 .8Ω
L
σ
1 )
= 6 0nH ，
C
σ
1)
=40pF
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
T
j
= 150
°C
V
C C
= 40 0 V,
I
C
=30A,
V
摹ê
= 0 /1 5 V,
R
G
= 1 1Ω
L
σ
1 )
= 6 0nH ，
C
σ
1)
=40pF
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
13
122
29
0.78
0.48
1.26
20
19
274
27
0.91
0.70
1.61
mJ
ns
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1)
漏感
L
σ
钕杂散电容
C
σ
由于测试电路如图E.
4
2.2版
九月08
功率半导体
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