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SKW30N60HS 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代 (High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation)
.型号:   SKW30N60HS
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描述: 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
文件大小 :   349 K    
页数 : 14 页
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品牌   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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100%
SKW30N60HS
100A
100A
t
P
=4µs
15µs
I
C
,
集电极电流
80A
I
C
,
集电极电流
T
C
=80°C
10A
50µs
200µs
1ms
60A
T
C
=110°C
40A
I
c
1A
20A
I
c
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
DC
0.1A
1V
0A
10V
100V
1000V
f,
开关频率
图1.集电极电流的一个函数
开关频率
(T
j
150°C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 11Ω)
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图2.安全工作区
(D
=
0,
T
C
= 25°C,
T
j
150°C;
V
GE
=15V)
通过键合线的限制
40A
200W
I
C
,
集电极电流
5 0 °C
7 5 °C
1 0 0 °C
1 2 5 °C
功耗
30A
150W
100W
20A
P
合计
,
50W
10A
0W
2 5 °C
0A
25°C
75°C
125°C
T
C
,
外壳温度
图3.功耗作为一个函数
外壳温度
(T
j
150°C)
T
C
,
外壳温度
图4.集电极电流的一个函数
外壳温度
(V
GE
15V,
T
j
150°C)
功率半导体
5
2.2版
九月08
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