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GP10V  GP10G  GP05US12  GP10D  GP10W5101439  GP08J  GP10J  GP10W0102239  GP05-10  GP10W0102415  
SKW30N60HS 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代 (High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation)
.型号:   SKW30N60HS
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描述: 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
文件大小 :   349 K    
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100%
SKW30N60HS
80A
70A
60A
50A
40A
30A
20A
10A
0A 0V
I
C
,
集电极电流
I
C
,
集电极电流
V
GE
=20V
15V
13V
11V
9V
7V
5V
80A
70A
60A
50A
40A
30A
20A
10A
2V
4V
6V
V
GE
=20V
15V
13V
11V
9V
7V
5V
0A
0V
2V
4V
6V
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图5.典型的输出特性
(T
j
= 25°C)
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图6.典型的输出特性
(T
j
= 150°C)
V
CE (SAT) ,
集热器
-
EMITT饱和电压
5,5V
5,0V
4,5V
4,0V
3,5V
3,0V
2,5V
2,0V
1,5V
1,0V
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
I
C
=15A
I
C
=30A
I
C
=60A
80A
T
J
= -5 5 °C
2 5 °C
1 5 0 °C
I
C
,
集电极电流
60A
40A
20A
0A
0V
2V
4V
6V
8V
V
GE
,
栅极 - 发射极电压
图7.典型的传输特性
(V
CE
=10V)
T
J
,
结温
图8.典型的集电极 - 发射极
饱和电压的函数
结温
(V
GE
= 15V)
功率半导体
6
2.2版
九月08
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