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![]() SKW30N60HS 5,0mJ *) E on 和 E ts 包括损失 由于二极管恢复 3,0兆焦耳 * )宙和ETS包括损失 由于二极管恢复 E, 开关损耗 4,0mJ E, 开关损耗 2,5兆焦耳 2,0兆焦耳 1,5兆焦耳 1,0兆焦耳 0.5兆焦耳 E 关闭 3,0mJ E on * 2,0mJ E ts * E on * 1,0mJ E 关闭 0,0mJ 0A 10A 20A 30A 40A 50A 60A 0,0兆焦耳 0Ω 5Ω 10Ω 15Ω 20Ω 25Ω 30Ω I C , 集电极电流 图13.典型的开关损耗 AS集电极电流的函数 (感性负载, T J =150°C, V CE =400V, V GE =0/15V, R G =11Ω, 在图E动态测试电路) R G , 栅极电阻 图14.典型的开关损耗 作为栅极电阻的函数 (感性负载, T J =150°C, V CE =400V, V GE =0/15V, I C =30A, 在图E动态测试电路) E, 开关损耗 1,5mJ E ts * Z thJC , 瞬态热阻 *) E on 和 E ts 包括损失 由于二极管恢复 D=0.5 10 K / W -1 0.2 0.1 0.05 1,0mJ E on * 10 K / W -2 0.02 0.01 10 K / W -3 0,5mJ E 关闭 R , (K / W)的 0.3681 0.0938 0.038 R 1 τ , (s) 0.0555 1.26E-03 1.49E-04 R 2 单脉冲 10 K / W 1µs -4 0,0mJ 0°C 50°C 100°C 150°C C 1 = τ 1 /R 1 C 2 = τ 2 /R 2 10µs 100µs 1ms 10米s 100毫秒 T J , 结温 图15.典型的开关损耗 作为结点的函数 温度 (感性负载, V CE =400V, V GE =0/15V, I C =30A, R G =11Ω, 在图E动态测试电路) t P , 脉冲宽度 图16. IGBT瞬态热阻 (D = t p / T) 功率半导体 8 2.2版 九月08
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