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FP30R06YE3  FP25R12U1T4  FP30R06KE3  FP25R12KT4  FP25R12KT4_B15  FP30R06W1E3_B11  
SKW30N60HS 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 ％，相比上一代 (High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation)
.型号：   SKW30N60HS
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描述： 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 ％，相比上一代
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
文件大小 ：   349 K    
页数 ： 14 页
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品牌 ：   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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100%
SKW30N60HS
5,0mJ
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复
3,0兆焦耳
* ）宙和ETS包括损失
由于二极管恢复
E,
开关损耗
4,0mJ
E,
开关损耗
2,5兆焦耳
2,0兆焦耳
1,5兆焦耳
1,0兆焦耳
0.5兆焦耳
E
关闭
3,0mJ
E
on
*
2,0mJ
E
ts
*
E
on
*
1,0mJ
E
关闭
0,0mJ
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
0,0兆焦耳
0Ω
5Ω
10Ω
15Ω
20Ω
25Ω
30Ω
I
C
,
集电极电流
图13.典型的开关损耗
AS集电极电流的函数
（感性负载，
T
J
=150°C,
V
CE
=400V, V
GE
=0/15V,
R
G
=11Ω,
在图E动态测试电路）
R
G
,
栅极电阻
图14.典型的开关损耗
作为栅极电阻的函数
（感性负载，
T
J
=150°C,
V
CE
=400V, V
GE
=0/15V,
I
C
=30A,
在图E动态测试电路）
E,
开关损耗
1,5mJ
E
ts
*
Z
thJC
,
瞬态热阻
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复
D=0.5
10 K / W
-1
0.2
0.1
0.05
1,0mJ
E
on
*
10 K / W
-2
0.02
0.01
10 K / W
-3
0,5mJ
E
关闭
R
， （K / W）的
0.3681
0.0938
0.038
R
1
τ
,
(s)
0.0555
1.26E-03
1.49E-04
R
2
单脉冲
10 K / W
1µs
-4
0,0mJ
0°C
50°C
100°C
150°C
C
1
=
τ
1
/R
1
C
2
=
τ
2
/R
2
10µs
100µs
1ms
10米s 100毫秒
T
J
,
结温
图15.典型的开关损耗
作为结点的函数
温度
（感性负载，
V
CE
=400V,
V
GE
=0/15V,
I
C
=30A,
R
G
=11Ω,
在图E动态测试电路）
t
P
,
脉冲宽度
图16. IGBT瞬态热阻
(D
= t
p
/
T)
功率半导体
8
2.2版
九月08
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