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NBXDBA009  NBXSBB023  NBXSBA008  NC316BU-3-AC  NBXHBA017  NC316-144  NBXSBA023LN1TAG  NBX-10975-PL  NC316-288  NBXDBB017LN1TAG  
SKW30N60HS 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代 (High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation)
.型号:   SKW30N60HS
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描述: 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
文件大小 :   349 K    
页数 : 14 页
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100%
SKW30N60HS
V
GE
,
-
发射极电压
1nF
15V
C
国际空间站
120V
10V
480V
c,
电容
C
OSS
100pF
C
RSS
5V
0V
0nC
50nC
100nC
150nC
10pF
0V
10V
20V
Q
GE
,
栅极电荷
图17.典型栅极电荷
(I
C
=30 A)
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图18.典型电容为一个函数
集电极 - 发射极电压的
(V
GE
=0V,
f
= 1兆赫)
I
C( SC )
,短路
集电极电流
短路承受时间
300A
250A
200A
150A
100A
50A
0A
10V
15µs
10µs
5µs
t
SC
,
0µs
10V
11V
12V
13V
14V
12V
14V
16V
18V
V
GE
,
-
EMITETR电压
图19.短路承受时间为
栅极 - 发射极电压的函数
(V
CE
= 600V ,开始
T
J
=25°C)
V
GE
,
-
EMITETR电压
图20.典型的短路收藏家
电流作为网关的功能
发射极电压
(V
CE
600V,
T
j
150°C)
功率半导体
9
2.2版
九月08
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