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MMBTA43LT1  
IFN147 N沟道硅结型场效应晶体管 (N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor)
.型号:   IFN147
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描述: N沟道硅结型场效应晶体管
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
文件大小 :   93 K    
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品牌   INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
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100%
D-6
01/99
IFN147
N沟道硅结型场效应晶体管
¥低噪声音频放大器
日元相当于日本2SK147
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
– 40 V
10毫安
300毫瓦
2.4毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流(脉冲)
动态电气特性
常见的来源
正向跨导
共源输入电容
共源反向
传输电容
噪声系数
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
NF
30
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
– 0.3
5
– 40
IFN147
典型值
最大
–1
–1
– 1.2
30
单位
V
nA
µA
V
mA
过程NJ450
测试条件
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 30V, V
DS
= ØV
V
GS
= – 30V, V
DS
= ØV
V
DS
= 10V ,我
D
= 1 µA
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
T
A
= 150°C
40
75
15
1
10
mS
pF
pF
dB
dB
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
I
DSS
= 5毫安
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V ,我
D
= Ø
V
DS
= 10V ,我
D
= 5毫安
R
G
= 100Ω
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1赫兹
F = 1千赫
F = 100赫兹
TOÐ18套餐
尺寸以英寸(毫米)
引脚配置
1来源, 2门&案例, 3漏
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
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