元器件型号: | 2N4339 |
生产厂家: | INTERSIL CORPORATION |
描述和应用: | N-CHANNEL JFET |
PDF文件: | 总122页 (文件大小:4127K) |
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型号参数:2N4339参数 | |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 5.61 |
其他特性 | LOW NOISE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 50 V |
FET 技术 | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss) | 2 pF |
JEDEC-95代码 | TO-18 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 0.325 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.325 W |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |