2N7288H [INTERSIL]

Radiation Hardened N-Channel Power MOSFETs; 抗辐射N沟道功率MOSFET
2N7288H
元器件型号: 2N7288H
生产厂家: INTERSIL CORPORATION    INTERSIL CORPORATION
描述和应用:

Radiation Hardened N-Channel Power MOSFETs
抗辐射N沟道功率MOSFET

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型号参数:2N7288H参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.92
其他特性RADIATION HARDENED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.415 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值75 W
最大功率耗散 (Abs)75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)27 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1