元器件型号: | 3N188 |
生产厂家: | INTERSIL CORPORATION |
描述和应用: | N-CHANNEL JFET |
PDF文件: | 总122页 (文件大小:4127K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:3N188参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | SOLITRON DEVICES INC |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.36 |
Is Samacsys | N |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.05 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-99 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |