元器件型号: | 5962R9676602QXC |
生产厂家: | INTERSIL CORPORATION |
描述和应用: | Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
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型号参数:5962R9676602QXC参数 | |
生命周期 | Obsolete |
零件包装代码 | DFP |
包装说明 | DFP, |
针数 | 42 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
HTS代码 | 8542.32.00.41 |
风险等级 | 5.84 |
Is Samacsys | N |
最长访问时间 | 500 ns |
JESD-30 代码 | R-XDFP-F42 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 26.925 mm |
内存密度 | 2048 bit |
内存集成电路类型 | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 42 |
字数 | 256 words |
字数代码 | 256 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 256X8 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DFP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度 | 2.54 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | FLAT |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
总剂量 | 100k Rad(Si) V |
宽度 | 16.255 mm |
Base Number Matches | 1 |
Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM
抗辐射256 ×8 CMOS RAM