元器件型号: | IRF520 |
生产厂家: | INTERSIL CORPORATION |
描述和应用: | 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
PDF文件: | 总7页 (文件大小:72K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:IRF520参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.58 |
其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas) | 44 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 9.6 A |
最大漏极电流 (ID) | 9.6 A |
最大漏源导通电阻 | 0.165 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 44 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 37 A |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN OVER NICKEL |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET
9.2A , 100V , 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET