IRFR9110 [INTERSIL]

3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs; 3.1A , 100V , 1.200欧姆,P沟道功率MOSFET
IRFR9110
元器件型号: IRFR9110
生产厂家: INTERSIL CORPORATION    INTERSIL CORPORATION
描述和应用:

3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
3.1A , 100V , 1.200欧姆,P沟道功率MOSFET

晶体 晶体管 开关
PDF文件: 总7页 (文件大小:66K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:IRFR9110参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Transferred
IHS 制造商INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.95
风险等级5.07
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)140 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)3.1 A
最大漏源导通电阻1.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1