元器件型号: | IRFR9110 |
生产厂家: | INTERSIL CORPORATION |
描述和应用: | 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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型号参数:IRFR9110参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 5.07 |
Is Samacsys | N |
雪崩能效等级(Eas) | 140 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 3.1 A |
最大漏源导通电阻 | 1.2 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 25 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 12 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
3.1A , 100V , 1.200欧姆,P沟道功率MOSFET