元器件型号: | RFP2N12 |
生产厂家: | INTERSIL CORPORATION |
描述和应用: | 2A, 120V and 150V, 1.750 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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型号参数:RFP2N12参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | THOMSON CONSUMER ELECTRONICS |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.84 |
Is Samacsys | N |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 25 W |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches | 1 |
2A, 120V and 150V, 1.750 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
2A , 120V和150V , 1.750 Ohm的N通道功率MOSFET