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SD1100C04C  SD-105131-100  SD-120066-024  SD-105088-001  SD1053C28S20L  SD1100C12C  SD-105020-003  SD-112095-5003  SD-112095-5021  SD12  
FSYC9055D3 抗辐射,抗SEGR P沟道功率MOSFET (Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs)
.型号:   FSYC9055D3
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描述: 抗辐射,抗SEGR P沟道功率MOSFET
Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
文件大小 :   55 K    
页数 : 8 页
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品牌   INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
购买 :   
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100%
FSYC9055D , FSYC9055R
1999年7月
特点
•总剂量
UCT
CT
ROD PRODU
P
E
ETE
SOL BSTITUT C9055R
OB SU
STY
IBLE 9055D ,女
S
POS STYC
F
抗辐射,抗SEGR
P沟道功率MOSFET
描述
哈里斯半导体分立产品运营
已开发出一系列抗辐射的MOSFET
具体来说专为商用和军用太空
应用程序。增强型功率MOSFET的抗单
事件效应( SEE) ,单粒子栅穿( SEGR )在
具体而言,是结合100K RADS总剂量的硬的
内斯提供一种非常适合于苛刻的设备
空间环境。剂量率和中子公差
必要的军事应用还没有得到的牺牲网络土木工程署。
的耐SEGR辐射哈里斯组合硬化
包括MOSFET的N沟道和P沟道的设备
各种电压,电流和导通电阻的评分。 Numer-
OU的包装选项也可用。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率
垂直DMOS ( VDMOS )的科幻场效晶体管struc-
真实存在。它是专门设计和加工成辐射
宽容。 MOSFET被非常适合应用
暴露于辐射的环境中,如开关稳压
化,开关转换器,电机驱动器,继电器驱动器和
驱动高功率双极开关晶体管要求
高速和低栅极驱动电源。这种类型的可
直接从集成电路操作。
可靠性筛选可以作为任何商业,热力膨胀阀
MIL-S- 19500 ,或空间等效的等效
MIL -S - 19500 。联系哈里斯半导体的任何
从数据表中所需的偏差。
• 59A , -60V ,R
DS ( ON)
= 0.027Ω
- 符合预RAD特定网络阳离子100K RAD (SI )
•单事件
- 安全工作区曲线的单粒子效应
- SEE免疫为36MeV /毫克/平方厘米LET
2
V
DS
高达80%的额定击穿和
V
GS
10V关偏置的
•剂量率
- 通常情况下躲过3E9 Rad公司(SI ) / s的80 % BV
DSS
- 通常情况下躲过2E12如果电流限制在我
DM
•光电流
- 6nA每- RAD (SI ) / s的典型
•中子
- 维持前期-Rad公司特定网络阳离子
对于3E13中子/平方厘米
2
- 可用来3E14Neutrons /厘米
2
g
[ /标题
( FSYC
9055D,
FSYC
9055R)
/子
拍摄对象
(辐射
ened ,
SEGR
电阻
TANT
P-
NEL
动力
MOSFET导
场效应管)
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(辐射
ened ,
SEGR
电阻
坦P-
NEL
动力
MOSFET导
场效应管)
/ Cre-
员( )
/ DOCI
订购信息
RAD LEVEL
10K
10K
100K
100K
100K
筛选LEVEL
广告
TXV
广告
TXV
空间
零件编号/ BRAND
FSYC9055D1
FSYC9055D3
FSYC9055R1
FSYC9055R3
FSYC9055R4
符号
D
以前作为类型TA17750 。
G
S
SMD-2
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
©
1999年哈里斯公司
网络文件编号
4525.1
1
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