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C0805C119D2UAC  SST89E554RC-40-C-NJ  C0805C119C5RAC  C0805C119B1GAC  C0805C110MCGAC  SST89E554RC-40-C-PJ  C0805C119C2RAC  C0805C119D3RAC  SST89E54RD2-33-C-NIF2  C0805C119C3PAC  
FSYC9160R1 抗辐射,抗SEGR P沟道功率MOSFET (Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs)
.型号:   FSYC9160R1
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描述: 抗辐射,抗SEGR P沟道功率MOSFET
Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
文件大小 :   64 K    
页数 : 8 页
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品牌   INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
购买 :   
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100%
FSYC9160D,
FSYC9160R
1998年7月
抗辐射,抗SEGR
P沟道功率MOSFET
描述
Intersil公司的分立产品经营已开发出
系列抗辐射的MOSFET具体来说的
专为商业和军事空间应用。
增强型功率MOSFET的抗单粒子效应
( SEE) ,单粒子栅穿( SEGR ) ,特别是
结合100K RADS总剂量的硬度,以提供
它非常适合于恶劣的太空环境的设备
求。剂量率和必要的中子宽容
军事上的应用还没有的牺牲网络土木工程署。
的耐SEGR辐射Intersil的产品组合硬化
包括MOSFET的N沟道和P沟道的设备
各种电压,电流和导通电阻的评分。
众多的包装选项也可用。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率
垂直DMOS ( VDMOS )的科幻场效晶体管struc-
真实存在。它是专门设计和加工成辐射
宽容。 MOSFET被非常适合应用
暴露于辐射的环境中,如开关稳压
化,开关转换器,电机驱动器,继电器驱动器和
驱动高功率双极开关晶体管要求
高速和低栅极驱动电源。这种类型的可
直接从集成电路操作。
可靠性筛选可以作为任何商业,热力膨胀阀
MIL-S- 19500 ,或空间等效的等效
MIL -S - 19500 。联系Intersil公司的任何期望偏差
从数据表。
特点
• 47A , -100V ,R
DS ( ON)
= 0.053Ω
•总剂量
- 符合预RAD特定网络阳离子100K RAD (SI )
•单事件
- 安全工作区曲线的单粒子效应
- SEE免疫为36MeV /毫克/平方厘米LET
2
V
DS
高达80%的额定击穿和
V
GS
10V关偏置的
•剂量率
- 通常情况下躲过3E9 Rad公司(SI ) / s的80 % BV
DSS
- 通常情况下躲过2E12如果电流限制在我
DM
•光电流
- 10.0nA每- RAD (SI ) / s的典型
•中子
- 维持前期-Rad公司特定网络阳离子
对于3E13中子/平方厘米
2
- 可用来3E14中子/平方厘米
2
订购信息
RAD LEVEL
10K
10K
100K
100K
100K
筛选LEVEL
广告
TXV
广告
TXV
空间
零件编号/ BRAND
FSYC9160D1
FSYC9160D3
FSYC9160R1
FSYC9160R3
FSYC9160R4
符号
D
以前作为类型TA17766 。
G
S
包装
SMD-2
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
©
Intersil公司1999
网络文件编号
4552
1
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