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描述:
RFP2N10L 2A , 80V和100V , 1.050欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET (2A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs)
.型号:   RFP2N10L
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描述: 2A , 80V和100V , 1.050欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET
2A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
文件大小 :   39 K    
页数 : 5 页
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品牌   INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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100%
RFP2N08L , RFP2N10L
数据表
1999年7月
网络文件编号
2872.2
2A , 80V和100V , 1.050欧姆,逻辑电平,
N沟道功率MOSFET
该RFP2N08L和RFP2N10L是N沟道增强
型硅栅功率场效应晶体管专
设计用于在逻辑电平(5V)的驱动源使用
应用,例如可编程控制器,汽车
切换和螺线管驱动器。这表现
通过特殊的栅极氧化物的设计来实现这
提供全额定导在门的偏见,在3V到5V
范围,从而直接促进真正的开关电源控制
从逻辑电路的电源电压。
以前发育类型TA0924 。
特点
• 2A , 80V和100V
• r
DS ( ON)
= 1.050Ω
•设计优化5V栅极驱动器
•可以直接从QMOS , NMOS , TTL电路驱动
•适用于汽车的驱动要求
• SOA是功耗有限公司
•纳秒的开关速度
•线性传输特性
•高输入阻抗
订购信息
产品型号
RFP2N08L
RFP2N10L
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
RFP2N08L
RFP2N10L
•多数载波设备
•相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
注:订购时,包括整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏极(法兰)
6-248
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
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版权
©
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