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描述:
UNRF2A7  UP-RW1220P1  
RFP2N10L 2A , 80V和100V , 1.050欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET (2A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs)
.型号:   RFP2N10L
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描述: 2A , 80V和100V , 1.050欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET
2A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
文件大小 :   39 K    
页数 : 5 页
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品牌   INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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100%
RFP2N08L , RFP2N10L
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
RFP2N08L
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压(R
GS
= 1MΩ )(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
80
80
2
5
±10
25
0.2
-55到150
300
260
RFP2N10L
100
100
2
5
±10
25
0.2
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
80
100
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ,T
C
= 125
o
C
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1.0MHz的
(图9 )
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
15
25
20
-
-
-
-
-
-
2.0
±100
1.0
25
2.1
1.050
25
45
45
25
200
80
35
5
V
V
V
nA
µA
µA
V
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFP2N08L
RFP2N10L
门至门限电压
门源漏
零栅极电压漏极电流
漏极至源极电压上(注2 )
漏极至源极导通电阻(注2 )
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
V
DS ( ON)
r
DS ( ON)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
I
D
= 2A ,V
GS
= 5V
I
D
= 2A ,V
GS
= 5V , (图6,7 )
I
D
= 2A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 6.25Ω,
R
L
= 25Ω, V
GS
= 5V
(图10 ,图11, 12)的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压(注2 )
反向恢复时间
注意事项:
2.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.
3.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 2A
I
SD
= 2A ,二
SD
/ DT = 50A / μs的
测试条件
-
-
典型值
-
100
最大
1.4
-
单位
V
ns
6-249
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