电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
RFP2N10L 2A , 80V和100V , 1.050欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET (2A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs)
.型号:   RFP2N10L
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 2A , 80V和100V , 1.050欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET
2A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
文件大小 :   39 K    
页数 : 5 页
Logo:   
品牌   INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
购买 :   
  浏览型号RFP2N10L的Datasheet PDF文件第1页 浏览型号RFP2N10L的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号RFP2N10L的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号RFP2N10L的Datasheet PDF文件第5页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
RFP2N08L , RFP2N10L
典型性能曲线
I
D
= 2A ,V
GS
= 5V
脉冲持续时间80毫秒=
占空比= 0.5 % MAX
归一化门
阈值电压
除非另有规定编
(续)
2.0
归一漏极至源极
抗性
2.0
I
D
= 250µA
V
DS
= V
GS
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
-50
0
50
100
150
200
0
-50
0
50
100
150
200
T
J
,结温(
o
C)
T
J
,结温(
o
C)
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
240
200
C,电容(pF )
160
120
C
国际空间站
80
C
OSS
40
0
C
RSS
0
10
20
30
40
50
60
70
V
DS ,
漏源极电压( V)
V
GS
= 0V , F =为0.1MHz
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
图8.归栅极阈值VS
结温
100
10
V
GS
,门源电压( V)
R
L
= 50Ω, V
GS
= 5V
I
G( REF )
= 0.094毫安
高原电压,
降序排列:
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= 0.75 BV
DSS
V
DD
= 0.50 BV
DSS
V
DD
= 0.25 BV
DSS
V
DS
,漏源极电压( V)
75
8
6
50
25
来源
电压
漏源电压
4
2
0
I G
(
REF
)
20 ------------------------
-
I G
(
法案
)
吨,时间( ms)的
I
G
(
REF
)
80 ------------------------
-
I G
(
法案
)
0
注:请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图9.电容VS漏源极电压
图10.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
t
ON
t
D(上)
R
L
t
r
V
DS
+
t
关闭
t
D(关闭)
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图11.开关时间测试电路
图12.电阻开关波形
6-251
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7