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RFP2N12L 2A , 120V , 1.750欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET (2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET)
.型号:   RFP2N12L
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描述: 2A , 120V , 1.750欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET
2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
文件大小 :   39 K    
页数 : 5 页
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品牌   INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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100%
RFP2N12L
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
RFP2N12L
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压RGS = 20KΩ (注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述牛逼
C
= 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
120
120
±10
2
5
25
0.2
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA (图8)
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V,
T
C
= 125
o
C
120
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
(图9 )
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
10
10
24
20
-
-
-
-
最大
-
2
1
25
±100
3.5
1.750
25
45
45
25
200
80
35
5
单位
V
V
µA
µA
nA
V
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极电压上(注2 )
漏极至源极导通电阻(注2 )
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
I
GSS
V
DS ( ON)
r
DS ( ON)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
I
D
= 2A ,V
GS
= 5V
I
D
= 2A ,V
GS
= 5V (图6, 7)
I
D
2A ,V
DD
= 75V ,R
G
= 6.25Ω,
R
L
= 75Ω, V
GS
= 5V
(图10 ,图11, 12)的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压(注2 )
二极管的反向恢复时间
注意事项:
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS最大,占空比= 2 % 。
3.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 2A
I
SD
= 2A , DL
SD
/ DT = 50A / μs的
测试条件
-
-
典型值
-
150
最大
1.4
-
单位
V
ns
6-253
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