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BR1064-2  BR106  BR106L  BR1113F  
RFP2N12L 2A , 120V , 1.750欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET (2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET)
.型号:   RFP2N12L
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描述: 2A , 120V , 1.750欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET
2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
文件大小 :   39 K    
页数 : 5 页
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品牌   INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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100%
RFP2N12L
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
除非另有规定编
2.5
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
T
C
,外壳温度(
o
C)
125
150
I
D
,漏电流( A)
1.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
10
在这一领域
限于由R
DS ( ON)
I
D
,漏电流( A)
1
4
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
I
D
,漏电流( A)
3
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
2
V
GS
= 3V
1
V
GS
= 2V
0.10
0.01
1
10
100
V
DS
,漏源极电压( V)
1000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS ,
漏源极电压( V)
9
10
图3.正向偏置安全工作区
图4.饱和特性
I
DS ( ON)
,漏源电流(A)
6
5
4
3
125
o
C
2
125
o
C
1
-40
o
C
0
1
2
3
4
V
GS
,门源电压( V)
5
0.5
0
r
DS ( ON)
,漏源ON
电阻(Ω )
V
DS
= 15V
脉冲持续时间为80μs =
-40
o
C
25
o
C
4
V
GS
= 5V
脉冲持续时间为80μs =
125
o
C
3
25
o
C
2
1
-40
o
C
1
2
I
D,
漏电流( A)
3
4
图5.传输特性
图6.漏极至源极导通电阻VS漏
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