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RFP2N12L 2A , 120V , 1.750欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET (2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET)
.型号:   RFP2N12L
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描述: 2A , 120V , 1.750欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET
2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
文件大小 :   39 K    
页数 : 5 页
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品牌   INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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100%
RFP2N12L
典型性能曲线
I
D
= 250µA
V
GS
= 5V
归一化门
阈值电压
除非另有规定编
(续)
1.5
归一漏极至源极
抗性
2.0
V
GS
= V
DS
I
D
= 250µA
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
-50
0
50
100
150
T
J
,结温(
o
C)
200
50
0
50
100
T
J
,结温(
o
C)
150
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
240
200
C,电容(pF )
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
V
DS
,漏源极电压( V)
图8.归栅极阈值电压Vs
结温
150
R
L
= 75Ω
I
G( REF )
= 0.095毫安
V
GS
= 10V
来源
电压
V
DD
= BV
DSS
4
37.5
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
漏源电压
I
20
G( REF )
I
G( ACT )
T,时间(μs )
I
80
G( REF )
I
G( ACT )
10
V
GS
,门源电压( V)
8
112.5
160
120
80
C
国际空间站
6
75
V
DD
= BV
DSS
C
OSS
2
40
C
RSS
0
10
20
30
40
V
DS ,
漏源极电压( V)
50
0
0
注:请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260
图9.电容VS漏源极电压
图10.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
t
ON
t
D(上)
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D(关闭)
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图11.开关时间测试电路
图12.电阻开关波形
6-255
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