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251B000252A3T1  WMA-1201E3  MCP4725A3T-E/CH  W67-A3T1-20  WMA-1201E6  WMA-1201E2  251B120252A3T1  WMA-1201H5  WMA-1201G3  WMA-1201E1  
RFP30P05 30A , 50V , 0.065欧姆,P沟道功率MOSFET (30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs)
.型号:   RFP30P05
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描述: 30A , 50V , 0.065欧姆,P沟道功率MOSFET
30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
文件大小 :   74 K    
页数 : 8 页
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品牌   INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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100%
RFG30P05 , RFP30P05 , RF1S30P05SM
数据表
1999年7月
网络文件编号
2436.4
30A , 50V , 0.065欧姆, P沟道功率
MOSFET的
这些都是P沟道功率MOSFET的制
使用MegaFET过程。这个过程中,它使用
特征尺寸接近LSI电路,使
硅的最佳利用,造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器,开关转换器,电机
驱动器和继电器驱动器。这些晶体管可以是
直接从集成电路操作。
以前发育类型TA09834 。
特点
• 30A , 50V
• r
DS ( ON)
= 0.065Ω
•温度补偿PSPICE
®
模型
•峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS额定值曲线
• 175
o
C的工作温度
•相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFG30P05
RFP30P05
RF1S30P05SM
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
RFG30P05
RFP30P05
F1S30P05
符号
D
G
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴,即RF1S30P05SM9A 。
S
包装
JEDEC风格-247
来源
(底部
侧的金属)
JEDEC TO- 220AB
来源
(法兰)
JEDEC TO- 263AB
(法兰)
来源
4-126
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice®的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
©
Intersil公司1999
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