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RFP70N03 , ​​RF1S70N03SM
数据表
1999年7月
网络文件编号
3404.4
70A , 30V , 0.010 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些N沟道功率MOSFET采用制造
在MegaFET过程。这个过程中,它使用特征
尺寸接近LSI的集成电路提供
硅的最佳利用,造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器,开关转换器,电机
驱动器和继电器驱动器。这些晶体管可以被操作
直接从集成电路。
以前发育类型TA49025 。
特点
• 70A , 30V
• r
DS ( ON)
= 0.010Ω
•温度补偿PSPICE
®
模型
•峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS额定值曲线(单脉冲)
• 175
o
C的工作温度
•相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFP70N03
RF1S70N03SM
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
RFP70N03
F1S70N03
符号
D
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴,例如, RF1S70N03SM9A
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
来源
JEDEC TO- 263AB
(法兰)
(法兰)
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice®的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
©
Intersil公司1999
RFP70N03 , ​​RF1S70N03SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
30
30
±20
70
200
图5,图13,图14
150
1.0
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ时)(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ,见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V (图10)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA (图9 )
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V ,T
C
= 150
o
C
30
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 24V ,我
D
70A,
R
L
= 0.343Ω
I
G( REF )
= 1.0毫安
(图12)
-
-
-
-
-
-
(图3)
的TO-220 ,TO- 263
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
20
20
40
25
-
215
120
6.5
3300
1750
750
-
-
最大
-
4
1
50
100
0.010
80
-
-
-
-
125
260
145
8.0
-
-
-
1.0
62
单位
V
V
µA
µA
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷,在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS ( ON)
t
ON
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
Q
G( TOT )
Q
g(10)
Q
G( TH )
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
GS
=
±20V
I
D
= 70A ,V
GS
= 10V (图8)
V
DD
= 15V ,我
D
70A,
R
L
= 0.214Ω, V
GS
=
10V,
R
GS
= 2.5Ω
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
(图11)
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 70A
I
SD
= 70A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
2
RFP70N03 , ​​RF1S70N03SM
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
,漏电流( A)
0
25
125
50
75
100
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
175
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
175
0.8
0.6
0.4
0.2
0
80
70
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一热阻抗
10
0
0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-2 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
,矩形脉冲持续时间( S)
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-0
10
1
图3.归一化最大瞬态热阻抗
300
100µs
I
AS
,雪崩电流( A)
300
I
DM
起始物为
J
= 25
o
C
起始物为
J
= 150
o
C
100
I
D
,漏电流( A)
1ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS ( ON)
10ms
100ms
DC
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
单脉冲
1
100
10
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3 ×额定BV
DSS
- V
DD
)
10
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
X R) / ( 1.3 ×额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
0.01
0.10
1
10
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
1
V
决策支持系统(MAX)
= 30V
10
50
V
DS
,漏源极电压( V)
注:请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图4.正向偏置安全工作区
图5.松开电感的开关能力
3
RFP70N03 , ​​RF1S70N03SM
典型性能曲线
200
V
GS
= 10V
V
GS
= 8V
V
GS
= 7V
160
I
D
,漏电流( A)
漏电流( A)
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 6V
80
V
GS
= 5V
40
V
GS
= 4V
0
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
0
V
DS
,漏源极电压( V)
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
160
(续)
200
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DD
= 15V
-55
o
C
25
o
C
120
120
175
o
C
80
40
图6.饱和特性
图7.传热特性
2.0
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 10V ,我
D
= 70A
1.5
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
栅极阈值电压
80
120
160
200
1.6
1.2
1.0
0.8
0.5
0.4
0
-80
-40
0
40
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
T
J
,结温(
o
C)
图8.归漏极至源极导
电阻与结温
图9.归栅极阈值电压VS
结温
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250µA
1.6
C,电容(pF )
7000
6000
5000
C
国际空间站
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
1.2
4000
3000
2000
1000
C
RSS
0.8
C
OSS
0.4
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
0
5
10
15
20
25
T
J
,结温(
o
C)
V
DS
,漏源极电压( V)
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图11.电容VS漏源极电压
4
RFP70N03 , ​​RF1S70N03SM
典型性能曲线
V
DS
,漏源电压( V)
(续)
10.0
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
V
GS
,门源极电压( V)
30.0
22.5
7.5
15.0
0.75BV
DSS
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
0.25BV
DSS
R
L
= 0.43Ω
I
G( REF )
= 3.0毫安
V
GS
= 10V
I
(
REF
)
g
-
20
--------------------
I
g
(
法案
)
I
g
(
REF
)
-
80
--------------------
I
g
(
法案
)
5.0
7.5
2.5
0
0
T,时间(μs )
注:请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.栅极电荷波形恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
I
AS
V
DD
-
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01Ω
0
t
AV
图13.松开能源利用检测电路
图14.松开能源波形
t
ON
V
DS
V
DS
V
GS
R
L
+
t
关闭
t
D(关闭)
t
r
t
f
90%
t
D(上)
90%
DUT
R
GS
V
GS
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图15.开关时间测试电路
图16.开关波形
5
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