RFP70N03 ， ​​RF1S70N03SM

数据表

1999年7月

网络文件编号

3404.4

70A ， 30V ， 0.010 Ohm的N通道功率

MOSFET的

这些N沟道功率MOSFET采用制造

在MegaFET过程。这个过程中，它使用特征

尺寸接近LSI的集成电路提供

硅的最佳利用，造成优秀

性能。它们被设计为在应用程序中使用

如开关稳压器，开关转换器，电机

驱动器和继电器驱动器。这些晶体管可以被操作

直接从集成电路。

以前发育类型TA49025 。

特点

• 70A ， 30V

• r

DS （ ON）

= 0.010Ω

•温度补偿PSPICE

®

模型

•峰值电流与脉冲宽度曲线

• UIS额定值曲线（单脉冲）

• 175

o

C的工作温度

•相关文献

- TB334 “指南焊锡表面贴装

组件到PC板“

订购信息

产品型号

RFP70N03

RF1S70N03SM

包

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

RFP70N03

F1S70N03

符号

D

注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至

获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，例如， RF1S70N03SM9A

G

S

包装

JEDEC TO- 220AB

来源

漏

门

门

来源

JEDEC TO- 263AB

漏

（法兰）

漏

（法兰）

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。

于PSpice®的是MicroSim公司的注册商标。

http://www.intersil.com或407-727-9207

|

版权

©

Intersil公司1999