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®
X28C512 , X28C513
数据表
2006年6月7日
FN8106.2
5V ,字节EEPROM可变
该X28C512 , X28C513为64K ×8的EEPROM ,制造
与Intersil专有的高性能,浮栅
CMOS技术。像所有Intersil的可编程非易失性
回忆, X28C512 , X28C513都只有5V器件。该
X28C512 , X28C513配备了JEDEC核准销出去
字节宽的回忆,与行业标准兼容
EPROM中。
该X28C512 , X28C513支持128字节页写
运行,有效地提供了39μs /字节写周期,
使整个存储器写入在小于2.5
秒。该X28C512 , X28C513还配备了数据查询
和触发位投票,系统软件支持计划
用于指示尽早完成一个写周期。在
此外, X28C512 , X28C513支持软件数据
保护选项。
特点
•访问时间:为90ns
•简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无需外部高电压或V
PP
控制电路
- 自定时
•写入前擦除不
•无需复杂的编程算法
•没有overerase问题
•低功耗CMOS
- 活动: 50毫安
- 待机: 500μA
•软件数据保护
- 防止系统级的意外写入数据
•高速页写能力
•高度可靠的直写
CELL
- 耐力:100,000写周期
- 数据保存:100年
- 写发现及早结束
- 数据查询
- 切换位投票
•两个PLCC和LCC引出线
- X28C512
• X28C010 EPROM引脚兼容
- X28C513
•兼容密度较低的EEPROM
•无铅加退火有(符合RoHS )
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005年, 2006年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X28C512 , X28C513
框图
A
7
-A
15
X缓冲器
锁存器和
解码器
512Kbit
EEPROM
ARRAY
A
0
-A
6
ÿ缓冲器
锁存器和
解码器
I / O缓冲器
和锁存器
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
控制
逻辑与
定时
数据输入/输出
订购信息
产品型号
X28C512D
X28C512DM
X28C512J
X28C513EM
X28C512D-12
X28C512DI-12
X28C512DMB-12
X28C512FMB-12
X28C512J-12*
X28C512JZ - 12 * (见注)
X28C512JI-12
X28C512JIZ - 12 * (见注)
X28C512JM-12
X28C512KM-12
X28C512PI-12
X28C512RMB-12
X28C513EM-12
X28C513EMB-12
X28C513J-12*
X28C513JZ - 12 * (注)
X28C513JI-12*
X28C513JIZ - 12 * (注)
X28C513JM-12
最热
X28C512D
X28C512DM
X28C512J
X28C513EM
X28C512D-12
X28C512DI-12
X28C512DMB-12
X28C512FMB-12
X28C512J-12
X28C512J - 12 ž
X28C512JI-12
X28C512JI - 12 ž
X28C512JM-12
X28C512KM-12
X28C512PI-12
X28C512RMB-12
X28C513EM-12
X28C513EMB-12
X28C513J-12
X28C513J - 12 ž
X28C513JI-12
X28C513JI - 12 ž
X28C513JM-12
120
存取时间
(纳秒)
-
温度范围( ℃)
0至+70
-55到+125
0至+70
-55到+125
0至+70
-40至+85
Mil-STD-883
Mil-STD-883
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
-55到+125
-55到+125
-40至+85
Mil-STD-883
-55到+125
Mil-STD-883
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
-55到+125
32 Ld的CERDIP
32 Ld的CERDIP
32 Ld的PLCC
32 Ld的LCC
32 Ld的CERDIP
32 Ld的CERDIP
32 Ld的CERDIP
32 Ld的扁平封装
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC (无铅)
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC (无铅)
32 Ld的PLCC
36 Ld的CPGA
32 Ld的PDIP
32 Ld的扁平封装
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC (无铅)
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC (无铅)
32 Ld的PLCC
2
FN8106.2
2006年6月7日
X28C512 , X28C513
订购信息
(续)
产品型号
X28C512D-15
X28C512DI-15
X28C512DMB-15
X28C512J-15*
X28C512JZ - 15 * (见注)
X28C512JI-15*
X28C512JIZ - 15 * (见注)
X28C512JM-15
X28C513EM-15
X28C513EMB-15
X28C513J-15*
X28C513JZ - 15 * (注)
X28C513JI-15
X28C513JIZ - 15 * (注)
X28C513JM-15
X28C512DMB-20
X28C512JM-20
X28C512KI-20
X28C512KM-20
X28C513EI-20
X28C513EM-20
X28C513EMB-20
X28C513J-20T1
X28C512EM-25
X28C512JM-25
X28C512KM-25
X28C512KMB-25
X28C513EM-25
X28C513EMB-25
*添加"T1"后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板终止完成,
这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
温度达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
最热
X28C512D-15
X28C512DI-15
X28C512DMB-15
X28C512J-15
X28C512J - 15号Z
X28C512JI-15
X28C512JI - 15号Z
X28C512JM-15
X28C513EM-15
X28C513EMB-15
X28C513J-15
X28C513J - 15号Z
X28C513JI-15
X28C513JI - 15号Z
X28C513JM-15
X28C512DMB-20
X28C512JM-20
X28C512KI-20
X28C512KM-20
X28C513EI-20
X28C513EM-20
X28C513EMB-20
X28C513J-20
X28C512EM-25
X28C512JM-25
X28C512KM-25
X28C512KMB-25
X28C513EM-25
X28C513EMB-25
存取时间
(纳秒)
150
温度范围( ℃)
0至+70
-40至+85
Mil-STD-883
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
-55到+125
-55到+125
Mil-STD-883
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
-55到+125
32 Ld的CERDIP
32 Ld的CERDIP
32 Ld的CERDIP
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC (无铅)
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC (无铅)
32 Ld的PLCC
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC (无铅)
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC (无铅)
32 Ld的PLCC
32 Ld的CERDIP
32 Ld的PLCC
36 Ld的CPGA
36 Ld的CPGA
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
32 Ld的PLCC磁带和卷轴
32 Ld的LCC
32 Ld的PLCC
36 Ld的CPGA
36 Ld的CPGA
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
200
Mil-STD-883
-55到+125
-40至+85
-55到+125
-40至+85
-55到+125
Mil-STD-883
0至+70
250
-55到+125
-55到+125
-55到+125
Mil-STD-883
-55到+125
Mil-STD-883
3
FN8106.2
2006年6月7日
X28C512 , X28C513
引脚配置
PLCC / LCC
A
15
NC
NC
V
CC
WE
A
12
塑料DIP
CERDIP
扁平封装
SOIC (R)的
NC
NC
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE
NC
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
2
I / O
1
6
A
1
13
A
2
12
A
4
10
A
6
8
A
12
I / O
0
15
A
0
14
A
3
11
9
A
5
A
7
7
A
15
5
NC
4
3
NC
2
NC
I / O
2
17
A
7
54 3 2
6
7
8
9
10
11
PGA
I / O
5
I / O
3
21
19
I / O
6
22
CE
24
OE
26
A
9
28
A
13
30
A
14
31
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
30
32 31 29
1
28
27
26
25
24
23
NC
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
27
26
25
24
23
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
I / O
5
X28C512
( TOP VIEW )
I / O
4
I / O
1
V
SS
I / O
7
20
16
18
23
A
10
25
12
22
13 15 16 17 18 19 20
21
14
I / O
1
I / O
2
V
SS
A
12
A
14
A
7
I / O
3
I / O
4
I / O
5
NC
I / O
3
I / O
4
底部
意见
V
CC
36
NC
1
NC
34
WE
35
A
11
27
A
8
29
NC
32
NC
33
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
54 3 2
6
7
8
9
10
11
X28C513
( TOP VIEW )
CE
I / O
7
12
22
13 15 16 17 18 19 20
I / O
6
21
14
I / O
1
I / O
2
V
SS
引脚说明
地址(A
0
-A
15
)
地址输入过程中选择8位内存位置
读或写操作。
芯片使能( CE )
该芯片使能输入必须为低电平,使所有的读/写
操作。当CE为高,功耗
减少。
输出使能( OE )
输出使能控制输入输出的数据缓冲和
用于启动读取操作。
数据输入/输出( I / O
0
-I / O
7
)
数据被写入或从X28C512 , X28C513读
通过I / O引脚。
写使能( WE)
写使能输入控制数据到的写作
X28C512 , X28C513 。
引脚名称
符号
A
0
-A
15
I / O
0
-I / O
7
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
+5V
无连接
4
A
15
V
CC
WE
A
13
30
32 31 29
1
28
X28C512
FN8106.2
2006年6月7日
X28C512 , X28C513
设备操作
读操作是由两个OE和CE LOW启动。该
读操作是通过CE或OE返回终止
HIGH 。这种两线控制架构消除了总线
争用中的系统环境。的数据总线将在
高阻抗状态时,无论OE或CE为高电平。
数据轮询( I / O
7
)
该X28C512 , X28C513特征数据轮询的方法
以表明主机系统的字节写入或页
写周期结束。数据轮询功能,一个简单的位
测试操作,以确定X28C512的状态,
X28C513 ,无需额外的中断输入或外部
硬件。在内部编程周期,任何
试图读取写入将产生的最后一个字节
这些数据对我补/ O
7
(即写入数据= 0XXX XXXX ,
读取数据= 1XXX XXXX) 。一旦编程周期
完成后, I / O
7
会反映真实的数据。
写操作启动的两个CE的时候,我们是
LOW和OE为高电平。该X28C512 , X28C513支持
既CE和WE控制的写周期。即,在
地址是由CE或WE的下降沿锁存
为准最后。类似地,该数据被内部锁存
通过CE或WE的上升沿,以先到为准。
字节写操作,一旦启动,将自动
继续完成,一般在5ms内。
切换位( I / O
6
)
该X28C512 , X28C513还提供了另一种方法为
当确定内部写周期完成。中
内部编程周期, I / O
6
会从高切换到
LOW和低到高的后续尝试读
装置。当内部循环完成,则这种切换将
停止,并且设备将是额外的读访问
或写操作。
页写操作
该X28C512的页写入功能, X28C513允许
整个存储要写入2.5秒。页写
允许数据两到128个字节是
连续写入X28C512 , X28C513 ,前
开始内部编程周期。主人
从另一设备的系统内的过程中可以读取数据
页写操作(改变源地址),但
网页地址(A
7
至A
15
) ,其后每有效
在此操作期间写周期的一部分必须是相同的
作为初始页面地址。
页写模式,可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期,主机可以
写另外1到127个字节
以同样的方式作为第一个字节被写入。每
连续的字节负载循环,由WE高电平变为低电平启动
过渡,必须的下降沿为100μs内开始
之前我们。如果后续WE由高到低的转变
为100μs内没有检测到时,内部自动
编程周期将开始。没有页写
窗口的限制。有效地,页写入窗口
无限宽,只要主机继续访问
设备为100μs的字节负载周期时间内。
写操作状态位
该X28C512 , X28C513为用户提供两个写
运行的状态位。这些可以被用来优化
系统的写入周期时间。状态位被映射到
的I / O ,如图1的总线。
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
图1.状态位分配
5
FN8106.2
2006年6月7日
相关元器件产品Datasheet PDF文档