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X28C512 ， X28C513

数据表

2006年6月7日

FN8106.2

5V ，字节EEPROM可变

该X28C512 ， X28C513为64K ×8的EEPROM ，制造

与Intersil专有的高性能，浮栅

CMOS技术。像所有Intersil的可编程非易失性

回忆， X28C512 ， X28C513都只有5V器件。该

X28C512 ， X28C513配备了JEDEC核准销出去

字节宽的回忆，与行业标准兼容

EPROM中。

该X28C512 ， X28C513支持128字节页写

运行，有效地提供了39μs /字节写周期，

使整个存储器写入在小于2.5

秒。该X28C512 ， X28C513还配备了数据查询

和触发位投票，系统软件支持计划

用于指示尽早完成一个写周期。在

此外， X28C512 ， X28C513支持软件数据

保护选项。

特点

•访问时间：为90ns

•简单的字节和页式写

- 单5V电源

- 无需外部高电压或V

PP

控制电路

- 自定时

•写入前擦除不

•无需复杂的编程算法

•没有overerase问题

•低功耗CMOS

- 活动： 50毫安

- 待机： 500μA

•软件数据保护

- 防止系统级的意外写入数据

•高速页写能力

•高度可靠的直写

™

CELL

- 耐力：100,000写周期

- 数据保存：100年

- 写发现及早结束

- 数据查询

- 切换位投票

•两个PLCC和LCC引出线

- X28C512

• X28C010 EPROM引脚兼容

- X28C513

•兼容密度较低的EEPROM

•无铅加退火有（符合RoHS ）

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注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

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