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X28C513EMB-25 5V ,字节EEPROM可变 (5V, Byte Alterable EEPROM)
.型号:   X28C513EMB-25
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描述: 5V ,字节EEPROM可变
5V, Byte Alterable EEPROM
文件大小 :   465 K    
页数 : 21 页
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品牌   INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
X28C512 , X28C513
设备操作
读操作是由两个OE和CE LOW启动。该
读操作是通过CE或OE返回终止
HIGH 。这种两线控制架构消除了总线
争用中的系统环境。的数据总线将在
高阻抗状态时,无论OE或CE为高电平。
数据轮询( I / O
7
)
该X28C512 , X28C513特征数据轮询的方法
以表明主机系统的字节写入或页
写周期结束。数据轮询功能,一个简单的位
测试操作,以确定X28C512的状态,
X28C513 ,无需额外的中断输入或外部
硬件。在内部编程周期,任何
试图读取写入将产生的最后一个字节
这些数据对我补/ O
7
(即写入数据= 0XXX XXXX ,
读取数据= 1XXX XXXX) 。一旦编程周期
完成后, I / O
7
会反映真实的数据。
写操作启动的两个CE的时候,我们是
LOW和OE为高电平。该X28C512 , X28C513支持
既CE和WE控制的写周期。即,在
地址是由CE或WE的下降沿锁存
为准最后。类似地,该数据被内部锁存
通过CE或WE的上升沿,以先到为准。
字节写操作,一旦启动,将自动
继续完成,一般在5ms内。
切换位( I / O
6
)
该X28C512 , X28C513还提供了另一种方法为
当确定内部写周期完成。中
内部编程周期, I / O
6
会从高切换到
LOW和低到高的后续尝试读
装置。当内部循环完成,则这种切换将
停止,并且设备将是额外的读访问
或写操作。
页写操作
该X28C512的页写入功能, X28C513允许
整个存储要写入2.5秒。页写
允许数据两到128个字节是
连续写入X28C512 , X28C513 ,前
开始内部编程周期。主人
从另一设备的系统内的过程中可以读取数据
页写操作(改变源地址),但
网页地址(A
7
至A
15
) ,其后每有效
在此操作期间写周期的一部分必须是相同的
作为初始页面地址。
页写模式,可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期,主机可以
写另外1到127个字节
以同样的方式作为第一个字节被写入。每
连续的字节负载循环,由WE高电平变为低电平启动
过渡,必须的下降沿为100μs内开始
之前我们。如果后续WE由高到低的转变
为100μs内没有检测到时,内部自动
编程周期将开始。没有页写
窗口的限制。有效地,页写入窗口
无限宽,只要主机继续访问
设备为100μs的字节负载周期时间内。
写操作状态位
该X28C512 , X28C513为用户提供两个写
运行的状态位。这些可以被用来优化
系统的写入周期时间。状态位被映射到
的I / O ,如图1的总线。
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
图1.状态位分配
5
FN8106.2
2006年6月7日
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