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X28C513EMB-25 5V ,字节EEPROM可变 (5V, Byte Alterable EEPROM)
.型号:   X28C513EMB-25
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描述: 5V ,字节EEPROM可变
5V, Byte Alterable EEPROM
文件大小 :   465 K    
页数 : 21 页
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品牌   INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
X28C512 , X28C513
重置软件数据保护
V
CC
数据
ADDR
CE
AAA
5555
55
2AAA
80
5555
AA
5555
55
2AAA
20
5555
t
WC
标准
操作
模式
WE
注:所有其他的时序和控制引脚每页写时序要求
图5A 。复位软件数据保护时序序列
系统注意事项
写入数据AA
到地址
5555
写数据55
到地址
2AAA
因为X28C512 , X28C513中常用的
大的存储器阵列,它设置有一个两行控制
架构进行读取和写入操作。正确
使用能提供尽可能低的功耗和
消除竞争的可能性,其中多个I / O引脚
共享同一总线。
为了获得最大的利益,建议CE是
从地址总线译码和被用作初级
设备选择输入。无论OE和WE会便可以
通用阵列中的所有设备之间。用于读出操作
这确保了所有的取消选择装置处于其待用
模式,并且只有被选中的设备(或多个) /正输出
在总线上的数据。
因为X28C512 , X28C513有两种供电模式,
(待机和活动) ,存储器阵列的适当的去耦
是最关心的。启用CE会造成瞬间电流
尖峰。这些尖峰的大小是依赖于
该I / O的输出电容性负载。因此,较大的
阵列共享公共总线,较大的瞬态
尖峰。与当前相关联的电压的峰
瞬变可以通过适当地选择能够抑制与
放置去耦电容。作为最低要求,它是
推荐一个0.1μF高频陶瓷
电容V之间使用
CC
和V
SS
在每个设备上。
取决于该阵列的尺寸,该电容器的值
可能要大一些。
另外,建议在一个4.7μF电解散装
电容放置V之间
CC
和V
SS
每个8
器件的阵列中采用的。这个大电容是
用于克服造成的电压降
的PCB走线电感的影响。
写数据A0
到地址
5555
写入数据AA
到地址
5555
写数据55
到地址
2AAA
写数据20
到地址
5555
图5B 。软件程序以解除
软件数据保护
在该事件的用户想要取消激活软件数据
用于测试或重编程的保护功能
EEPROM编程器,以下六步算法
复位内部保护电路。吨后
WC
的X28C512 ,
X28C513将在标准操作模式。
注意:
一旦启动,写入操作的序列
应不被中断。
9
FN8106.2
2006年6月7日
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