元器件型号: | IRF6722MTRPBF |
生产厂家: | INTERNATIONAL RECTIFIER |
描述和应用: | DirectFET Power MOSFET |
PDF文件: | 总9页 (文件大小:255K) |
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型号参数:IRF6722MTRPBF参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Transferred |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.65 |
雪崩能效等级(Eas) | 82 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 56 A |
最大漏极电流 (ID) | 13 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0077 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XBCC-N3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 42 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 110 A |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
DirectFET Power MOSFET
DirectFET功率MOSFET