IRF710S [IRF]

HEXFET Power MOSFET; HEXFET功率MOSFET
IRF710S
元器件型号: IRF710S
生产厂家: INTERNATIONAL RECTIFIER    INTERNATIONAL RECTIFIER
描述和应用:

HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关
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型号参数:IRF710S参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Transferred
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
风险等级5.05
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻3.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值36 W
最大功率耗散 (Abs)36 W
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1