IRG4PH30KPBF [IRF]

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT; 绝缘栅双极晶体管短路额定IGBT超快
IRG4PH30KPBF
元器件型号: IRG4PH30KPBF
生产厂家: INTERNATIONAL RECTIFIER    INTERNATIONAL RECTIFIER
描述和应用:

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT
绝缘栅双极晶体管短路额定IGBT超快

晶体 晶体管 电动机控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网
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型号参数:IRG4PH30KPBF参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Transferred
零件包装代码TO-247AC
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
风险等级3.6
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)170 ns
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)250
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
认证状态Not Qualified
子类别Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)640 ns
标称接通时间 (ton)53 ns
Base Number Matches1