IRG4PH40KD [IRF]

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A); 超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管( VCES = 1200V ,的VCE(on )典型值= 2.47V , @ VGE = 15V , IC = 15A )
IRG4PH40KD
元器件型号: IRG4PH40KD
生产厂家: INTERNATIONAL RECTIFIER    INTERNATIONAL RECTIFIER
描述和应用:

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A)
超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管( VCES = 1200V ,的VCE(on )典型值= 2.47V , @ VGE = 15V , IC = 15A )

晶体 二极管 晶体管 电动机控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 超快软恢复二极管 快速软恢复二极管
PDF文件: 总10页 (文件大小:217K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:IRG4PH40KD参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Transferred
IHS 制造商INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
零件包装代码TO-247AC
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.95
风险等级5
Is SamacsysN
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)330 ns
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值160 W
最大功率耗散 (Abs)160 W
认证状态Not Qualified
子类别Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)730 ns
标称接通时间 (ton)82 ns
VCEsat-Max3.4 V
Base Number Matches1