IRG4PH50K [IRF]

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A); 绝缘栅双极晶体管( VCES = 1200V ,的VCE(on )典型值= 2.77V , @ VGE = 15V , IC = 24A )
IRG4PH50K
元器件型号: IRG4PH50K
生产厂家: INTERNATIONAL RECTIFIER    INTERNATIONAL RECTIFIER
描述和应用:

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)
绝缘栅双极晶体管( VCES = 1200V ,的VCE(on )典型值= 2.77V , @ VGE = 15V , IC = 24A )

晶体 晶体管 栅
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型号参数:IRG4PH50K参数
是否Rohs认证符合
生命周期End Of Life
IHS 制造商INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.37
Is SamacsysN
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)45 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)500 ns
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)200 W
认证状态Not Qualified
子类别Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)600 ns
标称接通时间 (ton)49 ns
Base Number Matches1