元器件型号: | IRG4PH50K |
生产厂家: | INTERNATIONAL RECTIFIER |
描述和应用: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A) |
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型号参数:IRG4PH50K参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | End Of Life |
IHS 制造商 | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.37 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 45 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE |
最大降落时间(tf) | 500 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 6 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JEDEC-95代码 | TO-247AC |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 200 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 600 ns |
标称接通时间 (ton) | 49 ns |
Base Number Matches | 1 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)
绝缘栅双极晶体管( VCES = 1200V ,的VCE(on )典型值= 2.77V , @ VGE = 15V , IC = 24A )