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UXB02070G3CR200  ZTB976E  TL16C2550RHB  VSH64115-24.736M  TL16C550DIRHBR  ZTB968E  VBC312048ATBCA  TL16C550DPFBG4  ZXTN5551G  TL16C550DPFBRG4  
AUIRFR4105ZTRL HEXFET®功率MOSFET (HEXFET® Power MOSFET)
.型号:   AUIRFR4105ZTRL
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描述: HEXFET®功率MOSFET
HEXFET® Power MOSFET
文件大小 :   323 K    
页数 : 14 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
购买 :   
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100%
PD - 97544
汽车级
HEXFET
®
功率MOSFET
特点
AUIRFR4105Z
AUIRFU4105Z
55V
24.5m
30A
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅,符合RoHS
汽车合格*
D
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
马克斯。
I
D
G
S
描述
专为汽车应用,
这HEXFET
®
功率MOSFET采用了最新的
加工技术,以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这个额外的功能
设计是一个175 ° C的结温工作,
开关速度快和改进的重复ava-
拦车的评级。这些特性相结合,使该
设计一种非常有效和可靠的装置,用于
在汽车应用和各种用
其他应用程序。
D
S
D- PAK
AUIRFR4105Z
G
D
G
I- PAK
AUIRFU4105Z
S
D
G
S
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度(T
A
)是25℃ ,除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
(测试)
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量(热有限公司)
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度, 10秒(从案例1.6毫米)
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
马克斯。
30
21
120
48
0.32
± 20
29
46
看到图12a , 12b中,15,16
-55〜 + 175
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
°C
™
Ù
h
d
g
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
300
10磅的( 1.1N M)
y
y
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装)
结到环境
j
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.12
50
110
单位
° C / W
i
HEXFET
®
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
07/23/2010
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