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PD - 94970
IRF2807PbF
HEXFET
®
功率MOSFET
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
D
V
DSS
= 75V
R
DS ( ON)
= 13mΩ
G
S
I
D
= 82A‡
先进的HEXFET
®
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知,为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。低热
的TO- 220贡献电阻和低封装成本
在整个行业中的广泛接受。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3 srew
马克斯。
82
‡
58
280
230
1.5
± 20
43
23
5.9
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.65
–––
62
单位
° C / W
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1
02/02/04
IRF2807PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
‚
分钟。
75
–––
–––
2.0
38
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
13
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 43A
„
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
–––
S
V
DS
= 50V ,我
D
= 43A
„
25
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
µA
250
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
160
I
D
= 43A
29
nC
V
DS
= 60V
55
V
GS
= 10V ,参照图6和13
–––
V
DD
= 38V
–––
I
D
= 43A
ns
–––
R
G
= 2.5Ω
–––
V
GS
= 10V ,参照图10
„
铅之间,
4.5
–––
6毫米(0.25英寸)。
nH
G
从包
7.5
–––
而中心的模具接触
3820 –––
V
GS
= 0V
610 –––
V
DS
= 25V
130 –––
pF
ƒ = 1.0MHz的,见图。五
1280 ?? 340 ??兆焦耳我
AS
= 50A ,L = 370μH
典型值。
–––
0.074
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
64
49
48
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项:
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 82‡
展示
A
G
整体反转
––– ––– 280
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.2
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= 43A ,V
GS
= 0V
„
––– 100 150
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= 43A
––– 410 610
NC的di / dt = 100A / μs的
„
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)

重复评价;脉冲宽度有限的
‚
起始物为
J
= 25℃时,L = 370μH
T
J
175°C
最大。结温。 (参见图11)
R
G
= 25Ω, I
AS
= 43A ,V
GS
= 10V (见图12)
„
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
…
这是在破坏设备的典型值,代表
ƒ
I
SD
43A , di / dt的
300A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
操作之外的额定范围。
†
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
‡
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
2
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IRF2807PbF
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
100
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= 71A
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
2.5
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
2.0
100
1.5
1.0
0.5
10
4.0
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRF2807PbF
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
1
10
100
20
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的,C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + C
DS GD
I
D
= 43A
V
DS
= 60V
V
DS
= 37V
V
DS
= 15V
16
C,电容(pF )
西塞
12
科斯
8
CRSS
4
0
测试电路
见图13
0
40
80
120
160
VDS ,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100
T
J
= 175
°
C
10
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
100µsec
T
J
= 25
°
C
1
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
1msec
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
1
10msec
100
1000
V
SD
,源极到漏极电压(V )
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF2807PbF
100
不限按包
80
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
,漏电流( A)
-
V
DD
60
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
µs
占空比
≤ 0.1 %
40
20
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
0
25
50
T
C
,外壳温度( ° C)
75
100
125
150
175
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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