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PD - 94659A
汽车MOSFET
特点
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
G
IRF2807Z
IRF2807ZS
IRF2807ZL
D
HEXFET
®
功率MOSFET
V
DSS
= 75V
R
DS ( ON)
= 9.4mΩ
S
描述
专为汽车应用,
这HEXFET
®
功率MOSFET采用了最新的
加工技术,以实现极低
导通电阻每硅片面积。其他为特色的
这种设计的Tures的是175 ° C的结工作
温度,开关速度快,提高了
重复雪崩额定值。这些功能的COM
茎,使这个设计的一个非常有效的
而在汽车应用使用可靠的设备
tions和各种各样的其它应用。
I
D
= 75A
TO-220AB
IRF2807Z
D
2
PAK
IRF2807ZS
TO-262
IRF2807ZL
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
(测试)
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V (硅有限公司)
连续漏电流, V
GS
@ 10V (参见图9)中
连续漏电流, V
GS
@ 10V
(包装有限公司)
漏电流脉冲
马克斯。
89
63
75
350
170
1.1
± 20
160
200
看到图12a , 12b中, 15,16
-55〜 + 175
单位
A
c
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量(热有限公司)
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
c
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
°C
i
d
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
h
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.90
–––
62
40
单位
° C / W
结到环境( PCB安装,稳态)
j
HEXFET
®
是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
1
09/03/03
IRF2807Z/S/L
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
∆ΒV
DSS
/∆T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
75
–––
–––
2.0
67
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.073
7.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
71
19
28
18
79
40
45
4.5
7.5
3270
420
240
1590
280
440
–––
–––
9.4
4.0
–––
20
250
200
-200
110
29
42
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
条件
V V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V / ℃参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 53A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
s V
DS
= 25V ,我
D
= 53A
μA V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
NC I
D
= 53A
V
DS
= 60V
V
GS
= 10V
NS V
DD
= 38V
I
D
= 53A
R
G
= 6.2Ω
V
GS
= 10V
nH的铅之间,
D
f
f
f
6毫米(0.25英寸)。
从包
G
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
ƒ = 1.0MHz的,见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , ƒ = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 60V , ƒ = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
46
80
89
A
350
1.3
69
120
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
Ù
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 53A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 53A ,V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
f
S
f
固有的导通时间是可以忽略的(导通通过LS为主+ LD)的
注意事项:

重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (见图11)。
‚
限制T
JMAX
,起始物为
J
= 25 ° C,L = 0.12mH ,
R
G
= 25Ω, I
AS
= 53A ,V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
ƒ
I
SD
53A , di / dt的
420A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
175°C.
„
脉冲宽度
1.0ms的;占空比
2%.
…
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容,赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
DSS
.
†
限制T
JMAX
,参见图12a和12b ,15,16为典型的重复
雪崩性能。
‡
从样品失效人口这个值来决定。 100 %
测试,在生产该值。
ˆ
这个被施加到D
2
白,装在1"方形PCB时
(FR-4或G- 10材料) 。对于推荐的足迹,
焊接技术是指应用笔记# AN- 994 。
2
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IRF2807Z/S/L
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
底部
10
底部
1
10
4.5V
0.1
4.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
1000
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
150
政府飞行服务队,正向跨导( S)
ID ,漏 - 源电流
(Α)
100
T J = 175℃
125
T J = 25°C
100
75
T J = 175℃
10
T J = 25°C
1
50
VDS = 25V
20μs的脉冲宽度
0.1
4
6
8
10
12
25
0
0
25
50
75
100
125
150
VGS ,栅 - 源极电压( V)
ID ,漏极 - 源极电流(A )
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型正向跨导
与漏电流
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3
IRF2807Z/S/L
100000
VGS ,栅 - 源极电压( V)
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
Ç ISS = C GS + C GD ,C DS短路
Ç RSS = C GD
Ç OSS = C DS + C GD
12.0
ID = 53A
10.0
VDS = 60V
VDS = 38V
VDS = 15V
10000
C,电容(pF )
西塞
1000
8.0
6.0
科斯
CRSS
4.0
100
2.0
10
1
10
100
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS ,漏极至源极电压( V)
QG总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100
TJ = 175℃
10
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
1000
100
100µsec
10
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
10msec
1
T J = 25°C
VGS = 0V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VSD ,源极到漏极电压(V )
0.1
100
1000
VDS ,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF2807Z/S/L
100
RDS ( ON)时,漏 - 源极导通电阻
(归一化)
2.5
90
80
ID ,漏电流( A)
不限按包
ID = 53A
VGS = 10V
2.0
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ,外壳温度( ° C)
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ,结温( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应(Z thJC )
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
(热反应)
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项:
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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5
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