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KBU8A  KBU8APT  KBU8A  KBU8A  KBU8A  KBU8A  KBU808G  KBU8A  KBU8A  KBU810G  
IRF2807ZL 先进的工艺技术 (Advanced Process Technology)
.型号:   IRF2807ZL
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描述: 先进的工艺技术
Advanced Process Technology
文件大小 :   272 K    
页数 : 12 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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100%
PD - 94659A
汽车MOSFET
特点
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
G
IRF2807Z
IRF2807ZS
IRF2807ZL
D
HEXFET
®
功率MOSFET
V
DSS
= 75V
R
DS ( ON)
= 9.4mΩ
S
描述
专为汽车应用,
这HEXFET
®
功率MOSFET采用了最新的
加工技术,以实现极低
导通电阻每硅片面积。其他为特色的
这种设计的Tures的是175 ° C的结工作
温度,开关速度快,提高了
重复雪崩额定值。这些功能的COM
茎,使这个设计的一个非常有效的
而在汽车应用使用可靠的设备
tions和各种各样的其它应用。
I
D
= 75A
TO-220AB
IRF2807Z
D
2
PAK
IRF2807ZS
TO-262
IRF2807ZL
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
(测试)
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V (硅有限公司)
连续漏电流, V
GS
@ 10V (参见图9)中
连续漏电流, V
GS
@ 10V
(包装有限公司)
漏电流脉冲
马克斯。
89
63
75
350
170
1.1
± 20
160
200
看到图12a , 12b中, 15,16
-55〜 + 175
单位
A
c
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量(热有限公司)
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
c
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
°C
i
d
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
h
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.90
–––
62
40
单位
° C / W
结到环境( PCB安装,稳态)
j
HEXFET
®
是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
1
09/03/03
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