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IRF6610 HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM (HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM)
.型号:   IRF6610
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描述: HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM
HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM
文件大小 :   241 K    
页数 : 9 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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100%
PD - 97012
IRF6610
典型值(除非另有规定)
薄型( <0.7毫米)
超低封装电感
理想的CPU内核的DC -DC转换器
低传导损耗和开关损耗
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
3.6nC
R
DS ( ON)
Q
gs2
1.3nC
R
DS ( ON)
Q
OSS
5.9nC
20V最大± 20V最大5.2mΩ @ 10V 8.2mΩ @ 4.5V
Q
rr
6.4nC
V
GS ( TH)
2.1V
11nC
SQ
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
的DirectFET ?等距
描述
该IRF6610结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低的通态电阻,其具有的MICRO -8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状,印刷电路板的组装设备和汽相,红外线或对流焊接
技术中,当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许
双面冷却,以最大限度地提高电力系统的热传递,由80 %提高以前的最好的热阻。
该IRF6610平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关
损失。减小的总损耗,使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代的处理器
工作在较高的频率。该IRF6610进行了优化是在同步降压12千伏运行关键参数
总线转换器,包括RDS(ON)和栅极电荷,以尽量减少在控制FET插座的损失。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
30
典型的RDS ( ON) ( MΩ)
马克斯。
20
±20
15
12
66
120
13
12
VGS ,栅 - 源极电压( V)
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
2
4
ID = 12A
A
mJ
A
25
20
15
10
5
0
3
4
5
T J = 25°C
6
7
8
ID = 15A
VDS = 16V
VDS = 10V
T J = 125°C
9
10
6
8
10
12
14
16
VGS ,门-to - 源电压(V )
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项:
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板,稳定状态。
QG总栅极电荷( NC)
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分(漏) 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时,L = 0.18mH ,R
G
= 25Ω, I
AS
= 12A.
www.irf.com
1
05/25/05
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