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PD - 97012
IRF6610
的DirectFET ?功率MOSFET
典型值(除非另有规定)
铅和溴免费
薄型( <0.7毫米)
双面冷却兼容
超低封装电感
优化高频开关
理想的CPU内核的DC -DC转换器
优化为Sync.FET和一些控制FET
应用
低传导损耗和开关损耗
兼容现有的表面贴装技术
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
3.6nC
R
DS ( ON)
Q
gs2
1.3nC
R
DS ( ON)
Q
OSS
5.9nC
20V最大± 20V最大5.2mΩ @ 10V 8.2mΩ @ 4.5V
Q
rr
6.4nC
V
GS ( TH)
2.1V
11nC
SQ
适用的DirectFET外形及其基材纲要(见p.7,8了解详情)
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
的DirectFET ?等距
描述
该IRF6610结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低的通态电阻,其具有的MICRO -8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状,印刷电路板的组装设备和汽相,红外线或对流焊接
技术中,当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许
双面冷却,以最大限度地提高电力系统的热传递,由80 %提高以前的最好的热阻。
该IRF6610平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关
损失。减小的总损耗,使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代的处理器
工作在较高的频率。该IRF6610进行了优化是在同步降压12千伏运行关键参数
总线转换器,包括RDS(ON)和栅极电荷,以尽量减少在控制FET插座的损失。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
30
典型的RDS ( ON) ( MΩ)
马克斯。
20
±20
15
12
66
120
13
12
VGS ,栅 - 源极电压( V)
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
2
4
ID = 12A
A
mJ
A
25
20
15
10
5
0
3
4
5
T J = 25°C
6
7
8
ID = 15A
VDS = 16V
VDS = 10V
T J = 125°C
9
10
6
8
10
12
14
16
VGS ,门-to - 源电压(V )
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项:
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板,稳定状态。
QG总栅极电荷( NC)
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分(漏) 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时,L = 0.18mH ,R
G
= 25Ω, I
AS
= 12A.
www.irf.com
1
05/25/05
IRF6610
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
BV
DSS
∆ΒV
DSS
/∆T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
/∆T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷(Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
20
–––
–––
–––
1.65
–––
–––
–––
–––
–––
41
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
15
5.2
8.2
2.1
-5.2
–––
–––
–––
–––
–––
11
3.9
1.3
3.6
2.4
4.9
5.9
2.0
12
51
15
5.7
1520
440
220
–––
–––
6.8
10.7
2.55
–––
1.0
150
100
-100
–––
17
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
ƒ = 1.0MHz的
ns
nC
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V
毫伏/ ℃参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 12A
V
毫伏/°C的
µA
nA
S
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V ,我
D
= 12A
V
DS
= 10V
nC
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
参见图。 15
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
钳位感性负载
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
–––
–––
–––
–––
12
2.4
1.0
18
3.6
V
ns
nC
–––
–––
120
分钟。
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
2.8
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 12A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 12A
的di / dt = 100A / μs的
注意事项:
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
2
www.irf.com
IRF6610
绝对最大额定值
参数
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
P
T
J
T
英镑
功耗
功耗
功耗
峰值焊接温度
工作结
存储温度范围
马克斯。
2.2
1.4
42
270
-40〜 + 150
单位
W
°C
热阻
参数
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
结到PCB安装
线性降额因子
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.4
0.017
马克斯。
58
–––
–––
3.0
–––
单位
° C / W
W / ℃,
100
D = 0.50
热响应(Z thJA )
10
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
4
R
5
R
5
τ
A
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
τ
5
τ
5
τ
A
1
RI( ° C / W)
1.6195
2.14056
22.2887
20.0457
11.9144
τi
(秒)
0.000126
0.001354
0.375850
7.41
99
0.1
CI-
τi /日
CI-
τi /日
0.01
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝
0.01
0.1
1
10
100
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图3 。
最大有效瞬态热阻抗,结到环境
注意事项:
表面安装1英寸方铜电路板,稳定状态。
二手双面散热,安装垫。
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
背部和小夹散热器。
T
C
同的部分热电偶inContact公司与顶部(漏极)进行测定。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
表面安装1英寸方铜
板(静止空气中) 。
安装到同一个印刷电路板
小夹子散热器(静止空气中)
安装在最小
足迹全尺寸板
金属化背部和小
夹散热器(静止空气中)
www.irf.com
3
IRF6610
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
100
底部
10
底部
10
1
在60μs脉冲宽度
0.1
2.5V
0.01
0.1
1
10
100
V DS ,漏极至源极电压( V)
TJ = 25°C
1
2.5V
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
0.1
0.1
1
10
100
V DS ,漏极至源极电压( V)
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS = 10V
≤60µs
脉冲宽度
100
T J = 150℃
T J = 25°C
T J = -40°C
典型的RDS(on ) (正火)
图5 。
典型的输出特性
1.5
ID = 15A
V GS = 10V
V GS = 4.5V
ID ,漏 - 源电流
(Α)
10
1.0
1
0.1
1
2
3
4
5
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS ,栅 - 源极电压( V)
T J ,结温( ° C)
图6 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
Ç ISS = C GS + C GD ,C DS短路
Ç RSS = C GD
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
40
T J = 25°C
30
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
西塞
1000
科斯
典型的RDS ( ON) ( MΩ)
Ç OSS = C DS + C GD
C,电容(pF )
20
10
CRSS
0
100
1
10
VDS ,漏极至源极电压( V)
100
0
20
40
60
80
100
120
140
ID ,漏电流( A)
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
4
www.irf.com
IRF6610
1000
1000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100
10
T J = 150℃
T J = 25°C
1
T J = -40°C
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100
10
100µsec
1
VGS = 0V
0
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
VSD ,源极到漏极电压(V )
T A = 25°C
T J = 150℃
单脉冲
0.10
1.00
10.00
1msec
10msec
100.00
0.1
VDS ,漏极至源极电压( V)
图10 。
典型的源漏二极管正向电压
70
60
ID ,漏电流( A)
典型VGS ( TH)栅极阈值电压( V)
Fig11.
最大安全工作区
2.5
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T C ,外壳温度( ° C)
2.0
ID = 250μA
1.5
1.0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ,温度(° C)
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
60
EAS ,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
图13 。
典型的阈值电压与结
温度
ID
顶部
50
40
30
20
10
0
25
50
75
3.6A
5.3A
BOTTOM 12A
100
125
150
开始T J ,结温( ° C)
图14 。
最大雪崩能量与漏电流
www.irf.com
5
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