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PD - 97315
IRF6720S2TRPbF
IRF6720S2TR1PbF
l
l
l
l
l
l
l
l
l
符合RoHS标准不含铅和溴化物

薄型( <0.7毫米)
双面冷却兼容

超低封装电感
优化高频开关

理想的CPU内核的DC -DC转换器
优化控制FET的应用?
兼容现有的表面贴装技术

100 %通过Rg测试
典型值(除非另有规定)
的DirectFET ?功率MOSFET
‚
R
DS ( ON)
Q
gs2
0.9nC
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
2.8nC
R
DS ( ON)
Q
OSS
5.1nC
30V最大± 20V最大6.0mΩ @ 10V 9.8mΩ @ 4.5V
Q
rr
14nC
V
GS ( TH)
2.0V
7.9nC
适用的DirectFET外形及其基材大纲

S1
M4
L4
L6
的DirectFET ?等距
S1
S2
SB
M2
L8
描述
该IRF6720S2PbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
改进的性能中,有一个微8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装,兼容
在功率应用中,印刷电路板的组装设备和汽相,红外线或对流焊接技使用现有布局的几何形状
niques ,当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许双
双面冷却,以最大限度地提高电力系统的热传递,由80 %提高以前的最好的热阻。
该IRF6720S2PbF具有低栅极电阻和低电荷连同超低封装电感提供显著降低
开关损耗。减少损失,使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代
处理器工作于更高的频率。该IRF6720S2PbF进行了优化同步降压控制FET插座能操作
从12伏总线转换器阿婷。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
20
典型的RDS(on ) (M
Ω)
马克斯。
30
±20
11
9.2
35
92
12
8.8
VGS ,栅 - 源极电压( V)
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
连续漏电流, V
GS
漏电流脉冲
雪崩电流
g
e
@ 10V
e
@ 10V
f
h
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
2
4
6
ID = 8.8A
A
单脉冲雪崩能量
Ãg
mJ
A
ID = 11A
16
12
T J = 125°C
8
T J = 25°C
4
0
5
10
15
20
VDS = 24V
VDS = 15V
8
10
12
14
16
18
20
VGS ,门-to - 源电压(V )
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项:
Q g总栅极电荷( NC)
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压

点击此部分链接到相应的技术文件。
‚
点击此部分链接到的DirectFET网站。
ƒ
表面安装1英寸方铜电路板,稳定状态。
„
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分(漏) 。
…
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
†
起始物为
J
= 25℃时,L = 0.31mH ,R
G
= 25Ω, I
AS
= 8.8A.
www.irf.com
1
04/07/08
IRF6720S2TR/TR1PbF
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
BV
DSS
∆ΒV
DSS
/∆T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
/∆T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷(Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
21
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
19
6.0
9.8
2.0
-6.9
–––
–––
–––
–––
–––
7.9
2.2
0.9
2.8
2.0
3.7
5.1
0.30
13
35
11
11
1140
240
100
–––
–––
8.0
12.8
2.35
–––
1.0
150
100
-100
–––
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
ƒ = 1.0MHz的
ns
nC
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V
毫伏/ ℃参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 11A
i
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 8.8A
i
V
毫伏/°C的
µA
nA
S
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V ,我
D
=8.8A
V
DS
= 15V
nC
V
GS
= 4.5V
I
D
= 8.8A
SEE图。 2
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
i
I
D
= 8.8A
R
G
= 6.2Ω
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25µA
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
g
–––
–––
–––
–––
16
14
1.0
24
21
V
ns
nC
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
–––
–––
92
分钟。
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
22
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 8.8A ,V
GS
= 0V
i
T
J
= 25 ° C,I
F
=8.8A
的di / dt = 200A / μs的
i
注意事项:
…
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
‡
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
2
www.irf.com
IRF6720S2TR/TR1PbF
绝对最大额定值
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
P
T
J
T
英镑
e
功耗
e
功耗
f
功耗
工作结
参数
马克斯。
1.7
1.2
17
270
-55〜 + 175
单位
W
峰值焊接温度
存储温度范围
°C
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
el
结到环境
jl
结到环境
kl
结到外壳
fl
结到环境
线性降额因子
100
D = 0.50
热响应(Z thJA )
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
0.012
马克斯。
86
–––
–––
8.6
–––
单位
° C / W
结到PCB安装
W / ℃,
10
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
4
R
5
R
5
τ
A
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
τ
5
τ
5
τ
A
RI( ° C / W)
2.676
9.578
34.880
22.105
16.766
τi
(秒)
0.00017
0.007941
0.52375
4.978
84
1
CI-
τi /日
CI-
τi /日
0.1
单脉冲
(热反应)
0.01
1E-006
注意事项:
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝
0.01
0.1
1
10
100
1000
1E-005
0.0001
0.001
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图3 。
最大有效瞬态热阻抗,结到环境

注意事项:
‰
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
ƒ
表面安装1英寸方铜电路板,稳定状态。
„
T
C
同的部分热电偶inContact公司与顶部(漏极)进行测定。背部和小夹散热器。
Š
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
ˆ
二手双面散热,安装垫大的散热器。
ƒ
表面安装1英寸方铜
板(静止空气中) 。
‰
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
背部和小夹散热器。 (静止空气中)
www.irf.com
3
IRF6720S2TR/TR1PbF
100
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
100
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ,漏极 - 源极电流(A )
10
底部
ID ,漏极 - 源极电流(A )
底部
1
10
0.1
2.5V
0.01
0.1
1
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
2.5V
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
V DS ,漏极至源极电压( V)
图4 。
典型的输出特性
100
VDS = 15V
在60μs脉冲宽度
图5 。
典型的输出特性
2.0
ID = 11A
典型的R DS ( ON) (正火)
ID ,漏极 - 源极电流(A )
V GS = 10V
V GS = 4.5V
1.5
10
T J = 175℃
T J = 25°C
T J = -40°C
1
1.0
0.1
1
2
3
4
5
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ,结温( ° C)
VGS ,栅 - 源极电压( V)
图6 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的,C DS短路
CRSS = Cgd的
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
16
14
典型的R DS ( ON) (M
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
12
10
8
6
4
2
T J = 25°C
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
40
60
80
100
C,电容(pF )
1000
西塞
科斯
CRSS
100
10
1
10
VDS ,漏极至源极电压( V)
100
0
0
20
ID ,漏电流( A)
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
4
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IRF6720S2TR/TR1PbF
100
1000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100
100µsec
10
1msec
1
DC
0.1
T A = 25°C
T J = 150℃
单脉冲
10msec
10
T J = 175℃
T J = 25°C
1
T J = -40°C
VGS = 0V
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD ,源极到漏极电压(V )
0.01
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
VDS ,漏极至源极电压( V)
图10 。
典型的源漏二极管正向电压
典型的V GS ( TH)栅极阈值电压( V)
图11 。
最大安全工作区
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
T J ,温度(° C)
ID = 25μA
ID = 250μA
ID = 1.0毫安
ID = 1.0A
35
30
ID ,漏电流( A)
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ,外壳温度( ° C)
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
50
T J = 25°C
ğ FS ,正向跨导( S)
图13 。
典型的阈值电压与结
温度
320
EAS ,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
280
240
200
160
120
80
40
0
40
ID
顶部
1.5A
2.4A
BOTTOM 8.8A
30
T J = 175℃
20
10
V DS = 15V
380μs脉宽
2
0
20
0
40
60
80
100
ID ,漏极 - 源极电流(A )
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ,结温( ° C)
图14 。
典型值。正向跨导主场迎战漏电流
图15 。
最大雪崩能量与漏电流
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