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IDT7202LA50TP  39-01-2080  SN74LVC00APWRG4  0002081234  CAT5120  MAX232EIDW  CM1218-04SO  SPL07501033B  CCL75DG3-TD1  C522G102G5CH5CA  
IRF6722MPBF DirectFET功率MOSFET (DirectFET Power MOSFET)
.型号:   IRF6722MPBF
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描述: DirectFET功率MOSFET
DirectFET Power MOSFET
文件大小 :   255 K    
页数 : 9 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
PD - 96136
IRF6722MPbF
IRF6722MTRPbF

l
薄型( <0.7毫米)

l
超低封装电感

l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
低传导损耗和开关损耗
典型值(除非另有规定)
的DirectFET ?功率MOSFET
‚
R
DS ( ON)
Q
gs2
1.2nC
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
4.3nC
R
DS ( ON)
Q
OSS
11nC
30V最大± 20V最大4.7MΩ @ 10V 8.0mΩ @ 4.5V
Q
rr
26nC
V
GS ( TH)
1.8V
11nC
MP
适用的DirectFET外形及其基材纲要(见p.7,8了解详情)

SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
的DirectFET ?等距
描述
该IRF6722MPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻,其具有的MICRO -8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装的
在功率应用中使用的现有布局的几何形状,印刷电路板的组装设备和汽相,红外线或对流兼容
焊接技术中,当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。采用DirectFET封装
年龄允许双面冷却,最大限度地电力系统的热传递,由80 %提高以前的最好的热阻。
该IRF6722MPbF平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和
开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代
处理器工作于更高的频率。该IRF6722MPbF已经优化了在同步降压关键参数
从12伏总线转换器,包括RDS(ON)和栅极电荷操作,以尽量减少损失。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AS
20
典型的RDS ( ON) ( MΩ)
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
Ãg
h
VGS ,栅 - 源极电压( V)
30
±20
13
11
56
110
82
11
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
4
8
12
16
20
24
ID = 11A
VDS = 24V
VDS = 15V
A
mJ
A
ID = 13A
15
10
T J = 125°C
5
T J = 25°C
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
28
VGS ,门-to - 源电压(V )
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项:

点击此部分链接到相应的技术文件。
‚
点击此部分链接到的DirectFET网站。
ƒ
表面安装1英寸方铜电路板,稳定状态。
QG ,总栅极电荷( NC)
图2 。
典型的总栅极电荷与栅极至源极电压
„
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分(漏) 。
…
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
†
起始物为
J
= 25℃时,L = 1.45mH ,R
G
= 25Ω, I
AS
= 11A.
www.irf.com
1
11/12/07
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