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L8550QLT1G  L2SC5635LT3G  L2SA1774QT1G_11  HEF40106B-Q100  HVP16  GBU10J  GBU20M  GBU20G  GBU20B  L2N7002LT3G  
IRF6775MTRPBF 数字音频MOSFET (DIGITAL AUDIO MOSFET)
.型号:   IRF6775MTRPBF
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描述: 数字音频MOSFET
DIGITAL AUDIO MOSFET
文件大小 :   232 K    
页数 : 10 页
Logo:   
品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
购买 :   
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100%
PD - 97117
数字音频MOSFET
IRF6775MTRPbF
主要参数
150
47
25.0
3.0
V
m:
nC
特点
最新的MOSFET硅技术
对于D类音频放大器的优化关键参数
应用
低R
DS ( ON)
为提高效率
低Q
g
为更好的THD和提高效率
低Q
rr
更好的总谐波失真和较低的EMI
低封装寄生电感以降低振铃和降低EMI
可以提供高达每通道250W的到4Ω负载在
半桥配置放大器
双面冷却兼容
·
兼容现有的表面贴装技术
·
不含铅或溴化物符合RoHS标准
·无铅
(合格高达260 °C回流温度)
SQ
SX
ST
SH
MQ
MX
V
DS
R
DS ( ON)
(典型值) 。 @ V
GS
= 10V
Q
g
典型值。
R
G( INT )
马克斯。
6
'
*
6
'
MZ
MT
MN
MZ
的DirectFET ?等距
适用的DirectFET外形及其基材纲要(见第6 ,第7的详细信息)
描述
这一数字音频MOSFET是专门为D类音频放大器应用设计的。这种MOSFET利用
最新的加工技术,以实现低导通电阻每硅片面积。此外,栅极电荷,体二极管反向
恢复和内部栅极电阻进行了优化,以提高关键的D类音频放大器的性能因素,如
效率, THD和EMI。
该IRF6775MPbF器件采用的DirectFET
TM
封装技术。的DirectFET
TM
封装技术提供较低的寄生
电感和电阻比传统引线接合的SOIC封装。较低的电感改善EMI
通过降低电压振铃伴随快速电流瞬变性能。采用DirectFET
TM
封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状,印刷电路板的组装设备和汽相,红外线或对流
焊接技术中,当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。该
的DirectFET
TM
包还可以双面冷却,最大限度地电力系统的热传递,提高热电阻
tance和功耗。这些特性相结合,使该MOSFET的高效,强大和可靠的设备
D类音频放大器应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
I
AR
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
150
± 20
28
4.9
3.9
39
89
2.8
1.8
33
5.6
0.022
-40〜 + 150
单位
V
A
™
最大功率耗散
e
功耗
e
功耗
W
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
Ù
d
mJ
A
W / ℃,
°C
线性降额因子
工作结
e
存储温度范围
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
ek
结到环境
hk
结到环境
ik
结到外壳
jk
结到环境
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.4
马克斯。
45
–––
–––
1.4
–––
单位
° C / W
结到PCB安装
笔记

通过
‰
在第2页
www.irf.com
1
4/17/07
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