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D048C033T012M1N  D048C018T014M1N  D048C030T019M2N  D048C030T016M1N  D048C018T016M2N  D048C015T012M1N  D048C025T018M1N  D048C030T017M2N  D048C015T016M2N  D048C030T016M2N  
IRF6785MTRPBF 数字音频MOSFET (DIGITAL AUDIO MOSFET)
.型号:   IRF6785MTRPBF
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描述: 数字音频MOSFET
DIGITAL AUDIO MOSFET
文件大小 :   604 K    
页数 : 9 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
数字音频MOSFET
PD - 97282
IRF6785MTRPbF
主要参数
200
V
GS
= 10V
85
26
3.0
V
m:
nC
V
DS
最新的MOSFET硅技术
对于D类音频放大器的优化关键参数
R
DS ( ON)
典型值。 @
应用
Q
g
典型值。
低R
DS ( ON)
为提高效率
低Q
g
为更好的THD和提高效率
R
G( INT )
最大
低Q
rr
更好的总谐波失真和较低的EMI
低封装寄生电感以降低振铃和低
EMI
可以提供高达每通道250W的到8Ω负载在
半桥配置放大器
双面冷却兼容
·
兼容现有的表面贴装技术
·
不含铅或溴化物符合RoHS标准
MZ
·无铅
(合格高达260 °C回流温度)
适用的DirectFET外形及其基材纲要(见第6 ,第7的详细信息)
SQ
SX
ST
SH
MQ
MX
MT
MN
特点
的DirectFET ?等距
MZ
描述
这一数字音频MOSFET是专门为D类音频放大器应用设计的。这种MOSFET利用
最新的加工技术,以实现低导通电阻每硅片面积。此外,栅极电荷,体二极管反向
恢复和内部栅极电阻进行了优化,以提高关键的D类音频放大器的性能因素,如
效率, THD和EMI。
该IRF6785MPbF器件采用的DirectFET
TM
封装技术。的DirectFET
TM
封装技术提供较低的寄生
电感和电阻比传统引线接合的SOIC封装。较低的电感改善EMI
通过降低电压振铃伴随快速电流瞬变性能。采用DirectFET
TM
封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状,印刷电路板的组装设备和汽相,红外线或对流
焊接技术中,当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。该
的DirectFET
TM
包还可以双面冷却,最大限度地电力系统的热传递,提高热电阻
tance和功耗。这些特性相结合,使该MOSFET的高效,强大和可靠的设备
D类音频放大器应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
I
AR
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
马克斯。
200
± 20
19
3.4
2.7
27
57
2.8
1.8
33
8.4
0.022
-40〜 + 150
单位
V
A
™
e
功耗
e
功耗
雪崩电流
W
单脉冲雪崩能量
Ù
d
mJ
A
W / ℃,
°C
线性降额因子
工作结
存储温度范围
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
ek
结到环境
hk
结到环境
ik
结到外壳
jk
结到环境
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.4
马克斯。
45
–––
–––
1.4
–––
单位
° C / W
结到PCB安装
笔记

通过
Š
在第2页
www.irf.com
1
04/18/07
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