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M38501MAH-XXXSP  M38501M9H-XXXFP  M38501M5-XXXSP  M38501M9H-XXXSP  M38501M7H-XXXFP  M38501F9H-XXXSP  M38501MA-XXXSP  M38501F9H-XXXFP  M38501MCH-XXXFP  M38501M7-XXXFP  
IRF7105PBF HEXFET㈢功率MOSFET (HEXFET㈢ Power MOSFET)
.型号:   IRF7105PBF
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描述: HEXFET㈢功率MOSFET
HEXFET㈢ Power MOSFET
文件大小 :   302 K    
页数 : 10 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
购买 :   
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100%
PD - 95164
IRF7105PbF
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
双N和P沟道MOSFET
l
表面贴装
l
可在磁带卷&
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
®
功率MOSFET
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
2
3
4
7
6
5
D1
D1
D2
D2
N沟道
V
DSS
R
DS ( ON)
I
D
25V
0.10Ω
3.5A
P沟道
-25V
0.25Ω
-2.3A
P沟道MOSFET
顶视图
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
尽可能低的导通电阻每硅片面积。
这样做的好处,结合快速开关速度
和坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置,用于使用
各种应用程序。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进,
多个设备可以在一个应用程序中使用
大大减少了电路板空间。该包是
专为气相,红外,或波峰焊
技术。大于0.8W的功耗
可以在一个典型的印刷电路板安装的应用程序。
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
‚
结温和存储温度范围
马克斯。
N沟道
3.5
2.8
14
2.0
0.016
± 20
3.0
-55到+ 150
-3.0
P沟道
-2.3
-1.8
-10
单位
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
R
θJA
最大结点到环境
„
参数
分钟。
–––
典型值。
–––
马克斯。
62.5
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/6/04
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