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PD - 95164
IRF7105PbF
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
双N和P沟道MOSFET
l
表面贴装
l
可在磁带卷&
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
®
功率MOSFET
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
2
3
4
7
6
5
D1
D1
D2
D2
N沟道
V
DSS
R
DS ( ON)
I
D
25V
0.10Ω
3.5A
P沟道
-25V
0.25Ω
-2.3A
P沟道MOSFET
顶视图
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
尽可能低的导通电阻每硅片面积。
这样做的好处,结合快速开关速度
和坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置,用于使用
各种应用程序。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进,
多个设备可以在一个应用程序中使用
大大减少了电路板空间。该包是
专为气相,红外,或波峰焊
技术。大于0.8W的功耗
可以在一个典型的印刷电路板安装的应用程序。
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
‚
结温和存储温度范围
马克斯。
N沟道
3.5
2.8
14
2.0
0.016
± 20
3.0
-55到+ 150
-3.0
P沟道
-2.3
-1.8
-10
单位
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
R
θJA
最大结点到环境
„
参数
分钟。
–––
典型值。
–––
马克斯。
62.5
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/6/04
IRF7105PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
25
-25
—
—
—
—
—
—
1.0
-1.0
—
—
—
—
—
—
––
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。马克斯。
—
—
—
—
0.030 —
-0.015 —
0.083 0.10
0.14 0.16
0.16 0.25
0.30 0.40
— 3.0
— -3.0
4.3 —
3.1 —
— 2.0
— -2.0
—
25
— -25
— ±100
9.4 27
10
25
1.7 —
1.9 —
3.1 —
2.8 —
7.0 20
12
40
9.0 20
13
40
45
90
45
90
25
50
37
50
4.0 —
6.0 —
330 —
290 —
250 —
210 —
61
—
67
—
单位
V
V /°C的
V
S
µA
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V
GS
= 0V时,我
D
= -250µA
参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
参考至25℃ ,我
D
= -1mA
V
GS
= 10V ,我
D
= 1.0A
ƒ
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 0.50A
ƒ
V
GS
= -10V ,我
D
= -1.0A
ƒ
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -0.50A
ƒ
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250µA
V
DS
= 15V ,我
D
= 3.5A
ƒ
V
DS
= -15V ,我
D
= -3.5A
ƒ
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V,
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ,T
J
= 55°C
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V ,T
J
= 55°C
V
GS
= ± 20V
N沟道
I
D
= 2.3A ,V
DS
= 12.5V, V
GS
= 10V
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
总gatecharge
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部泄油Inductace
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
ƒ
P沟道
I
D
= -2.3A ,V
DS
= -12.5V, V
GS
= -10V
N沟道
V
DD
= 25V ,我
D
= 1.0A ,R
G
= 6.0Ω,
R
D
= 25Ω
P沟道
V
DD
= -25V ,我
D
= -1.0A ,R
G
= 6.0Ω,
R
D
= 25Ω
从铅之间的6mm (0.25英寸)。
封装和裸片联络中心
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , ƒ = 1.0MHz的
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -15V , ƒ = 1.0MHz的
ns
ƒ
nH
pF
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
—
— 2.0
—
— -2.0
A
—
—
14
—
— -9.2
—
— 1.2
T
J
= 25 ° C,I
S
= 1.3A ,V
GS
= 0V
ƒ
V
—
— -1.2
T
J
= 25 ° C,I
S
= -1.3A ,V
GS
= 0V
ƒ
—
36
54
N沟道
ns
—
69 100
T
J
= 25 ° C,I
F
= 1.3A ,的di / dt = 100A / μs的
—
41
75
P沟道
ƒ
nC
T
J
= 25 ° C,I
F
= -1.3A ,的di / dt = 100A / μs的
—
90 180
固有的导通时间是neglegible (开启用L为主
S
+L
D
)
注意事项:

重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
ƒ
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
„
表面安装在FR- 4电路板,T
10sec.
‚
N沟道我
SD
3.5A , di / dt的
90A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
150°C
P沟道我
SD
-2.3A , di / dt的
90A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
150°C
2
www.irf.com
N沟道
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
IRF7105PbF
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
图2 。
典型的输出特性
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
(归一化)
T
J
,结温( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
C,电容(pF )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
www.irf.com
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
3
IRF7105PbF
I
SD
,反向漏电流( A)
N沟道
I
D
,漏电流( A)
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
V
DS
R
D
I
D
,漏电流( A)
V
GS
R
G
10V
脉冲宽度
≤ 1
µs
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
V
-
DD
图10A 。
开关时间测试电路
T
A
,环境温度( ° C)
V
DS
90%
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
电流调节器
同类型D.U.T.
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
50KΩ
12V
.2µF
.3µF
图10B 。
开关时间波形
D.U.T.
+
V
-
DS
10V
Q
GS
Q
G
Q
GD
V
GS
3mA
V
G
I
G
I
D
收费
电流采样电阻器
图11A 。
栅极电荷测试电路
4
图11B 。
基本栅极电荷波形
www.irf.com
P沟道
IRF7105PbF
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图12 。
典型的输出特性
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
图13 。
典型的输出特性
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
(归一化)
T
J
,结温( ° C)
图14 。
典型的传输特性
图15 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
C,电容(pF )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图16 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
www.irf.com
图17 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
5
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