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描述:
P82C764A  8P004SRV0204I15  P83C154-20  P83C154-36  P82C88-2  8P004SRV0203I15  8P002SRV1402I15  8P002SRV1400C25  P83C154DC-20  P82C59A-2  
IRF7476PBF HEXFET功率MOSFET ( VDSS = 12V , RDS ( ON)最大值= 8.0米ヘ@VGS = 4.5V , ID = 15A ) (HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 12V , RDS(on) max = 8.0mヘ@VGS = 4.5V , ID = 15A ))
.型号:   IRF7476PBF
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描述: HEXFET功率MOSFET ( VDSS = 12V , RDS ( ON)最大值= 8.0米ヘ@VGS = 4.5V , ID = 15A )
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 12V , RDS(on) max = 8.0mヘ@VGS = 4.5V , ID = 15A )
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页数 : 8 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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100%
PD - 95279
IRF7476PbF
HEXFET
®
功率MOSFET
应用
l
高频3.3V和5V输入点 -
的负载同步降压转换器,用于
网通和计算应用。
l
网通电源管理,
计算机和便携式应用。
l
LEAD -FREE
好处
l
l
l
V
DSS
12V
R
DS ( ON)
最大
8.0
mW
@V
GS
= 4.5V
I
D
15A
S
S
S
G
1
8
7
A
A
D
D
D
D
2
3
6
4
5
超低栅极阻抗
非常低R
DS ( ON)
充分界定雪崩电压
和电流
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

最大功率耗散
„
最大功率耗散
„
线性降额因子
结温和存储温度范围
马克斯。
12
±12
15
12
120
2.5
1.6
0.02
-55到+ 150
单位
V
V
A
W
W
W / ℃,
°C
热阻
符号
R
θJL
R
θJA
参数
结到漏极引线
结到环境
„
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记

通过
„
是第8页
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1
04/05/06
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