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IRFE310 HEXFET晶体管 (HEXFET TRANSISTOR)
.型号:   IRFE310
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描述: HEXFET晶体管
HEXFET TRANSISTOR
文件大小 :   139 K    
页数 : 7 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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100%
IRFE310 , JANTX- , JANTXV- , 2N6786U设备
电气特性
@ TJ = 25 ° C(除非另有说明)
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT Ĵ温度系数
电压
RDS ( ON)
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS ( TH)
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
400
2.0
0.87
典型值最大值单位
0.37
5.0
15
3.6
3.7
4.0
25
250
100
-100
8.4
1.6
5.0
15
20
35
30
V
V /°C的
测试条件
VGS = 0V ,ID = 1.0毫安
参考至25℃ , n = 1.0毫安
VGS = 10V ,ID = 0.8A
„
VGS = 10V ,ID = 1.25A
VDS = VGS ,ID = 250μA
VDS > 15V , IDS = 0.8A
„
VDS = 0.8×最大额定值, VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V , TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ,ID = 1.25A
VDS =最大额定值×0.5
VDD = 15V , ID = 1.25A ,
RG = 7.5Ω
V
S( )
µA
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
(上)
tr
td
(关闭)
tf
LD
LS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极(米勒?? ??)充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
nA
nC
ns
nH
从漏测
修改对称MOSFET
铅的6mm ( 0.25 )
平原示出了内部
从包装到中心电感。
而死亡。
从源代码测
铅的6mm ( 0.25 )
从包装到
源焊盘。
西塞
ç OSS
ç RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
190
65
24
pF
VGS = 0V , VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
1.25
5.5
1.4
540
4.5
测试条件
修改MOSFET符号
显示整体反转
p-n结整流器。
T
j
= 25°C , IS = 1.25A , VGS = 0V
„
TJ = 25°C , IF = 1.25A , di / dt的
100A/µs
VDD
50V
„
A
V
ns
µC
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
8.3
27
° C / W
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
2
www.irf.com
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