电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
IRFS31N20D 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.082ohm ,ID = 31A ) (Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A))
.型号:   IRFS31N20D
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.082ohm ,ID = 31A )
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
文件大小 :   193 K    
页数 : 11 页
Logo:   
品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
购买 :   
  浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
PD- 93805B
开关电源MOSFET
IRFB31N20D
IRFS31N20D
IRFSL31N20D
HEXFET
®
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
V
DSS
200V
R
DS ( ON)
最大
0.082Ω
I
D
31A
好处
l
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计, (见
应用程序。注AN1001 )
TO-220AB
l
充分界定雪崩电压
IRFB31N20D
和电流
D
2
PAK
IRFS31N20D
TO-262
IRFSL31N20D
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
‡
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装torqe , 6-32或M3螺丝?
马克斯。
31
21
124
3.1
200
1.3
± 30
2.1
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
°C
典型SMPS拓扑
l
电信48V输入正激变换器
笔记

通过
‡
在第11页
www.irf.com
1
2/14/00
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7