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IRFS31N20D 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.082ohm ，ID = 31A ） (Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A))
.型号：   IRFS31N20D
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描述： 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.082ohm ，ID = 31A ）
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
文件大小 ：   193 K    
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品牌 ：   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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100%
PD- 93805B
开关电源MOSFET
IRFB31N20D
IRFS31N20D
IRFSL31N20D
HEXFET
®
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
V
DSS
200V
R
DS （ ON）
最大
0.082Ω
I
D
31A
好处
l
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
TO-220AB
l
充分界定雪崩电压
IRFB31N20D
和电流
D
2
PAK
IRFS31N20D
TO-262
IRFSL31N20D
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
‡
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装torqe ， 6-32或M3螺丝？
马克斯。
31
21
124
3.1
200
1.3
± 30
2.1
-55〜 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅•在（ 1.1N •m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
典型SMPS拓扑
l
电信48V输入正激变换器
笔记

通过
‡
在第11页
www.irf.com
1
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