电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号：  
描述：
DSS-4832-391R  DSS-601MC00F  DSS-601LS22B  DSS-601MA22R  DSS-4832-390R  DSS-601LA04R  DSS-4832-2R4R  DSS-601LC22B  DSS-401MC04F  DSS-601LS04R  
IRFS31N20D 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.082ohm ，ID = 31A ） (Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A))
.型号：   IRFS31N20D
PDF文件： 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述： 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.082ohm ，ID = 31A ）
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
文件大小 ：   193 K    
页数 ： 11 页
Logo：   
品牌 ：   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
购买 ：   
  浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号IRFS31N20D的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
PD- 93805B
开关电源MOSFET
IRFB31N20D
IRFS31N20D
IRFSL31N20D
HEXFET
®
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
V
DSS
200V
R
DS （ ON）
最大
0.082Ω
I
D
31A
好处
l
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
TO-220AB
l
充分界定雪崩电压
IRFB31N20D
和电流
D
2
PAK
IRFS31N20D
TO-262
IRFSL31N20D
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
‡
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装torqe ， 6-32或M3螺丝？
马克斯。
31
21
124
3.1
200
1.3
± 30
2.1
-55〜 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅•在（ 1.1N •m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
典型SMPS拓扑
l
电信48V输入正激变换器
笔记

通过
‡
在第11页
www.irf.com
1
2/14/00
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7
深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案