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IRFY11N50CMA HEXFET功率MOSFET直通孔( TO- 257AA ) (HEXFET POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA))
.型号:   IRFY11N50CMA
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描述: HEXFET功率MOSFET直通孔( TO- 257AA )
HEXFET POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
文件大小 :   107 K    
页数 : 7 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
购买 :   
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100%
PD - 94167A
HEXFET
®
功率MOSFET
直通孔( TO- 257AA )
IRFY11N50CMA
500V N沟道
产品概述
产品型号
IRFY11N50CMA
BVDSS
500V
R
DS ( ON)
0.56Ω
I
D
10A
第五代HEXFET
®
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术,以实现尽可能低的导通电阻
每个芯片单位面积。这样做的好处,并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计
该HEXFET功率MOSFET是众所周知的,
为设计者提供了一个非常有效的装置
用于在多种应用中使用。
这些装置非常适合于应用程序,例如
如开关电源,马达控制, invert-
器,砍砸器,音频放大器和高能量脉冲
电路。
TO-257AA
产品特点:
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS ( ON)
额定雪崩能量
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V , TC = 25°C
ID @ VGS = 10V , TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
300 ( 0.063英寸案件从10秒/ 1.6毫米)
4.3 (典型值)
10
6.6
40
125
1.0
±20
205
10
12.5
9.6
-55到150
W
W / ℃,
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
08/07/01
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