电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
83336-22  WP503IDT  83336-21  83336-00  
IRFZ46S HEXFET功率MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
.型号:   IRFZ46S
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: HEXFET功率MOSFET
HEXFET Power MOSFET
文件大小 :   338 K    
页数 : 10 页
Logo:   
品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
购买 :   
  浏览型号IRFZ46S的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号IRFZ46S的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号IRFZ46S的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号IRFZ46S的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号IRFZ46S的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号IRFZ46S的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号IRFZ46S的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号IRFZ46S的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
PD - 9.922A
IRFZ46S/L
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
表面贴装( IRFZ46S )
通孔低调( IRFZ46L )
175 ° C工作温度
快速开关
D
V
DSS
= 50V
R
DS ( ON)
= 0.024Ω
G
I
D
= 72A†
描述
国际整流器第三代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计, HEXFET功率MOSFET
是众所周知的,为设计者提供了一个非常
高效,可靠的装置,用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的,因为高电流应用
其较低的内部连接性,可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版( IRFZ46L )可用于低
配置文件的应用程序。
S
D 2白
T O服务-2 6 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V…
连续漏电流, V
GS
@ 10V…
漏电流脉冲
…
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ…
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
50
†
38
220
3.7
150
1.0
± 20
100
4.5
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W
W / ℃,
V
mJ
V / ns的
°C
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境( PCB安装,稳态) **
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.0
40
单位
° C / W
8/25/97
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7