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IRFZ46S HEXFET功率MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
.型号:   IRFZ46S
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描述: HEXFET功率MOSFET
HEXFET Power MOSFET
文件大小 :   338 K    
页数 : 10 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
IRFZ46S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
50
–––
–––
2.0
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.057
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
120
42
96
7.5
1800
960
160
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
--- V / ° C参考到25° C,I
D
=1mA…
0.024
V
GS
= 10V ,我
D
= 32A
„
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
–––
S
V
DS
= 25V ,我
D
= 32A…
25
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
µA
250
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
66
I
D
= 54A
21
NC V
DS
= 48V
25
V
GS
= 10V ,参照图6和13
„…
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 54A
ns
–––
R
G
= 9.1Ω
–––
R
D
= 0.49Ω ,参照图10
„
铅之间,
nH
–––
而中心的模具接触
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
ƒ = 1.0MHz的,见图。 5 ?
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项:
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 50
†
展示
A
G
整体反转
––– ––– 220
S
p-n结二极管。
––– ––– 2.5
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= 54A ,V
GS
= 0V
„
––– 66
99
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= 54A
––– 170 310
nC
的di / dt = 100A / μs的
„…
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)

重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
„
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
…
使用IRFZ46数据和测试条件
†
基于最大允许计算出的连续电流
结温;推荐电流处理的
包参考设计提示# 93-4
‚
V
DD
= 25V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 34μH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 54A 。 (参见图12)
ƒ
I
SD
54A , di / dt的
250A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
175°C
**当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994 。
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