电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
MAX4063ETE  MAX4063  MAX4063_11  MAX4063EUD  
IRFZ48NPBF HEXFET功率MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
.型号:   IRFZ48NPBF
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: HEXFET功率MOSFET
HEXFET Power MOSFET
文件大小 :   182 K    
页数 : 8 页
Logo:   
品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
购买 :   
  浏览型号IRFZ48NPBF的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号IRFZ48NPBF的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号IRFZ48NPBF的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号IRFZ48NPBF的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号IRFZ48NPBF的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号IRFZ48NPBF的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号IRFZ48NPBF的Datasheet PDF文件第8页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
PD - 94991
IRFZ48NPbF
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
D
V
DSS
= 55V
R
DS ( ON)
= 14mΩ
G
S
I
D
= 64A
描述
先进的HEXFET
®
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知,为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。低热
的TO- 220贡献电阻和低封装成本
在整个行业中的广泛接受。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3 srew
马克斯。
64
45
210
130
0.83
± 20
32
13
5.0
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
1.15
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
2/10/04
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7